[實用新型]半導體器件有效
| 申請號： | 201821487420.7 | 申請日： | 2018-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN208706643U | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 王婷;何丹丹;任興潤;劉洋 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/535 | 分類號： | H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 李華;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣介電層 擴散阻擋層 半導體器件 導電接觸 互連結構 互連 基底 本實用新型 溝槽內表面 銅種子層 電鍍銅 填滿 制程 空洞 平整 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，包括至少一個互連結構，其特征在于，所述互連結構包括：
基底；
第一絕緣介電層，形成于所述基底上，包括導電接觸；
第二絕緣介電層，形成于所述第一絕緣介電層上，且具有溝槽，所述溝槽底部露出所述導電接觸；
釕擴散阻擋層，形成于所述溝槽內表面；及
銅，填滿所述溝槽。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述釕擴散阻擋層的厚度為5～20nm。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述基底包括硅、鍺、鍺化硅、碳化硅和砷化鎵中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣介電層和所述第二絕緣介電層包括氮化硅、二氧化硅及氮氧化硅中的一種或多種。
5.一種半導體器件，包括至少一個互連結構，其特征在于，所述互連結構包括：
基底；
第一導電層，形成于所述基底上；
第二絕緣介電層，形成于所述第一導電層上，且具有溝槽，所述溝槽底部露出所述第一導電層；
釕擴散阻擋層，形成于所述溝槽內表面；及
銅，填滿所述溝槽。
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