[實用新型]用于半導(dǎo)體處理設(shè)備的聚焦環(huán)及半導(dǎo)體處理設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821486872.3
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN208674083U
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾議鋒;闞保國;劉家樺;葉日銓
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

該實用新型涉及一種用于半導(dǎo)體處理設(shè)備的聚焦環(huán)及半導(dǎo)體處理設(shè)備，其中所述聚焦環(huán)包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)設(shè)置于所述外環(huán)所圍成的區(qū)域中，與所述外環(huán)位于同一平面，其特征在于，所述內(nèi)環(huán)的表面設(shè)置有吸附結(jié)構(gòu)，用于吸附半導(dǎo)體處理過程中生成的副產(chǎn)物。本實用新型中用于半導(dǎo)體處理設(shè)備的聚焦環(huán)及半導(dǎo)體處理設(shè)備的聚焦環(huán)的內(nèi)環(huán)設(shè)置有吸附結(jié)構(gòu)，通過吸附結(jié)構(gòu)吸附粘附在聚焦環(huán)上的副產(chǎn)物，提高副產(chǎn)物與聚焦環(huán)的內(nèi)環(huán)的表面之間的粘著力，減小副產(chǎn)物從聚焦環(huán)的內(nèi)環(huán)脫落的可能性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及晶圓生產(chǎn)制造加工設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種用于半導(dǎo)體處理設(shè)備的聚焦環(huán)及半導(dǎo)體處理設(shè)備。

背景技術(shù)

在晶圓處理過程中，經(jīng)常需要使用聚焦環(huán)聚攏等離子體，以增加晶圓表面和邊緣區(qū)域的等離子體濃度，從而增加等離子體濃度的均勻性，保證晶圓生產(chǎn)的工藝要求。

例如在使用等離子體刻蝕晶圓的過程中，在刻蝕工藝機臺的刻蝕腔體內(nèi)設(shè)置聚焦環(huán)以聚攏等離子，增加刻蝕晶圓的均勻程度。在刻蝕過程中，由于等離子體的轟擊，刻蝕腔體中會產(chǎn)生大量副產(chǎn)物。大部分刻蝕生成的副產(chǎn)物會被分子泵抽離出所述刻蝕腔體，但仍會有少數(shù)副產(chǎn)物會殘留在刻蝕腔體中，沉積于所述聚焦環(huán)表面。

隨著時間的積累，副產(chǎn)物與聚焦環(huán)表面之間的粘附會由于重力作用而變得不牢固，逐漸從所述聚焦環(huán)表面剝落，掉落到晶圓上，影響晶圓的品質(zhì)。

現(xiàn)有技術(shù)中，采用縮短機臺的清洗周期的方法來清理掉所述刻蝕腔體中剝落的副產(chǎn)物，但采用縮短機臺的清洗周期的方法時，會影響機臺的工作時長，從而影響機臺的產(chǎn)率。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種用于半導(dǎo)體處理設(shè)備的聚焦環(huán)及半導(dǎo)體處理設(shè)備，能夠增大半導(dǎo)體處理過程中生成的副產(chǎn)物與聚焦環(huán)表面之間的粘著力，減小殘留的半導(dǎo)體處理過程中生成的副產(chǎn)物從聚焦環(huán)表面脫落的可能性。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型中提供了一種用于半導(dǎo)體處理設(shè)備的聚焦環(huán)，包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)設(shè)置于所述外環(huán)所圍成的區(qū)域中，與所述外環(huán)位于同一平面，所述內(nèi)環(huán)的表面設(shè)置有吸附結(jié)構(gòu)，用于吸附半導(dǎo)體處理過程中生成的副產(chǎn)物。

可選的，所述吸附結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述內(nèi)環(huán)表面的第一吸附孔；所述第一吸附孔的寬度范圍為50nm至15μm。

可選的，所述第一吸附孔均勻分布于所述內(nèi)環(huán)表面，相鄰第一吸附孔之間的距離相等。

可選的，所述吸附結(jié)構(gòu)包括位于所述內(nèi)環(huán)的表面的吸附層，且所述吸附層內(nèi)具有第二吸附孔；所述第二吸附孔的寬度范圍為50nm至15μm；所述吸附層的孔隙率為30％～50％。

可選的，所述吸附層將所述內(nèi)環(huán)的表面完全覆蓋，所述吸附層的厚度范圍為6mm至15mm。

可選的，所述吸附層包括陶瓷膜層、混合纖維素膜和聚砜類微濾膜中的至少一種；所述陶瓷膜層包括氧化鋁膜層、氮化鋁膜層、氮化鋁膜層和氧化鈹膜層中的至少一種。

可選的，所述外環(huán)的外圓邊緣設(shè)置有第一倒角面，所述第一倒角面與所述聚焦環(huán)所在平面的垂線之間具有第一夾角，且所述第一夾角的范圍為30度至60度。

可選的，所述外環(huán)的內(nèi)圓邊緣設(shè)置有第二倒角面，所述第二倒角面與所述聚焦環(huán)所在平面的垂線之間具有第二夾角，且所述第二夾角的范圍為30度至60度。

可選的，所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)均為石英環(huán)，所述內(nèi)環(huán)的外徑與所述外環(huán)的內(nèi)徑相一致，且所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)貼合。

為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型中還提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，包括上述聚焦環(huán)。

本實用新型中的用于半導(dǎo)體處理設(shè)備的聚焦環(huán)，內(nèi)環(huán)設(shè)置有吸附結(jié)構(gòu)，所述吸附結(jié)構(gòu)可吸附半導(dǎo)體處理設(shè)備在處理過程中生成的副產(chǎn)物，提高副產(chǎn)物與聚焦環(huán)的內(nèi)環(huán)的表面之間的粘著力，減小副產(chǎn)物從聚焦環(huán)的內(nèi)環(huán)脫落的可能性。