[實用新型]用于半導體處理設備的聚焦環及半導體處理設備

有效

• 申請號: 201821486872.3
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN208674083U
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 曾議鋒;闞保國;劉家樺;葉日銓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種用于半導體處理設備的聚焦環，包括內環和外環，所述內環設置于所述外環所圍成的區域中，與所述外環位于同一平面，其特征在于，所述內環的表面設置有吸附結構，用于吸附半導體處理過程中生成的副產物。

2.根據權利要求1所述的用于半導體處理設備的聚焦環，其特征在于，所述吸附結構包括設置在所述內環表面的第一吸附孔；所述第一吸附孔的寬度范圍為50nm至15μm。

3.根據權利要求2所述的用于半導體處理設備的聚焦環，其特征在于，所述第一吸附孔均勻分布于所述內環表面，相鄰第一吸附孔之間的距離相等。

4.根據權利要求1所述的用于半導體處理設備的聚焦環，其特征在于，所述吸附結構包括位于所述內環的表面的吸附層，且所述吸附層內具有第二吸附孔；所述第二吸附孔的寬度范圍為50nm至15μm；所述吸附層的孔隙率為30％～50％。

5.根據權利要求4所述的用于半導體處理設備的聚焦環，其特征在于，所述吸附層將所述內環的表面完全覆蓋，所述吸附層的厚度范圍為6mm至15mm。

6.根據權利要求4所述的用于半導體處理設備的聚焦環，其特征在于，所述吸附層包括陶瓷膜層、混合纖維素膜和聚砜類微濾膜中的至少一種；所述陶瓷膜層包括氧化鋁膜層、氮化鋁膜層、氮化鋁膜層和氧化鈹膜層中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的用于半導體處理設備的聚焦環，其特征在于，所述外環的外圓邊緣設置有第一倒角面，所述第一倒角面與所述聚焦環所在平面的垂線之間具有第一夾角，且所述第一夾角的范圍為30度至60度。

8.根據權利要求1所述的用于半導體處理設備的聚焦環，其特征在于，所述外環的內圓邊緣設置有第二倒角面，所述第二倒角面與所述聚焦環所在平面的垂線之間具有第二夾角，且所述第二夾角的范圍為30度至60度。

9.根據權利要求1所述的用于半導體處理設備的聚焦環，其特征在于，所述內環與外環均為石英環，所述內環的外徑與所述外環的內徑相一致，且所述內環與外環貼合。

10.一種半導體處理設備，其特征在于，包括：根據權利要求1至9中任一項所述聚焦環。