[實用新型]一種MOS管尖峰電壓抑制電路及開關(guān)電源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821482628.X | 申請日： | 2018-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN209001821U | 公開（公告）日： | 2019-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉岳平 | 申請（專利權(quán)）人： | 珠海金波科創(chuàng)電子有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/32 | 分類號： | H02M1/32 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519060 廣東省珠海市香洲區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 吸收電路 反饋線圈 初級線圈 異名端 開關(guān)電源變壓器 尖峰電壓抑制 本實用新型 二極管 次級線圈 尖峰電壓 開關(guān)電源 同名端 電路 發(fā)熱量 連接電源 接地 限幅 電源 幫助 | ||
1.一種MOS管尖峰電壓抑制電路，其特征在于：包括電源、MOS管、開關(guān)電源變壓器、第一吸收電路(1)和第二吸收電路(2)，所述開關(guān)電源變壓器包括初級線圈N1、反饋線圈N2和次級線圈N3，所述初級線圈N1的異名端經(jīng)MOS管連接電源，所述初級線圈N1的同名端與第一吸收電路(1)連接，所述反饋線圈N2的同名端接地，所述反饋線圈N2的異名端與第二吸收電路(2)連接，所述反饋線圈N2的異名端還經(jīng)一消反峰二極管與第一吸收電路(1)連接，所述次級線圈N3連接負(fù)載。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管尖峰電壓抑制電路，其特征在于：所述第一吸收電路(1)包括電容C1和電阻R1，所述電容C1的一端與初級線圈N1的同名端連接，所述電容C1的另一端與電阻R1的一端連接，所述電阻R1的另一端與MOS管連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管尖峰電壓抑制電路，其特征在于：所述第二吸收電路(2)包括電容C2，所述電容C2的一端與反饋線圈N2的異名端連接，所述電容C2的另一端與MOS管連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS管尖峰電壓抑制電路，其特征在于：所述電容C2采用高壓瓷片電容。
5.一種開關(guān)電源，其特征在于：包括權(quán)利要求1-4任一所述的MOS管尖峰電壓抑制電路。
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- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
