[實(shí)用新型]一種MOS管尖峰電壓抑制電路及開(kāi)關(guān)電源

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821482628.X
• 申請(qǐng)日: 2018-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209001821U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉岳平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海金波科創(chuàng)電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M1/32
• 分類(lèi)號(hào): H02M1/32
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 俞梁清

本實(shí)用新型涉及一種MOS管尖峰電壓抑制電路及開(kāi)關(guān)電源，包括電源、MOS管、開(kāi)關(guān)電源變壓器、第一吸收電路和第二吸收電路，所述開(kāi)關(guān)電源變壓器包括初級(jí)線圈N1、反饋線圈N2和次級(jí)線圈N3，所述初級(jí)線圈N1的異名端經(jīng)MOS管連接電源，所述初級(jí)線圈N1的同名端與第一吸收電路連接，所述反饋線圈N2的同名端接地，所述反饋線圈N2的異名端與第二吸收電路連接，所述反饋線圈N2的異名端還經(jīng)一消反峰二極管與第一吸收電路連接，所述次級(jí)線圈N3連接負(fù)載。本實(shí)用新型采用消反峰二極管對(duì)尖峰電壓限幅，采用第一吸收電路和第二吸收電路消除電壓，成本低，發(fā)熱量低，還能有效的幫助抑制MOS管尖峰電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電源的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種MOS管尖峰電壓抑制電路及包括所述MOS管尖峰電壓抑制電路的開(kāi)關(guān)電源。

背景技術(shù)

開(kāi)關(guān)電源以其體積小巧、性能卓越、使用方便的顯著特點(diǎn)，在計(jì)算機(jī)、通信、工業(yè)自動(dòng)化、LED照明設(shè)備和電工儀器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，很多開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)人員已經(jīng)意識(shí)到，正確合理的設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源，可以省去電源調(diào)試方面的麻煩和降低材料成本。這樣不僅可以提高開(kāi)關(guān)電源的可靠性，還能更好的讓產(chǎn)品帶來(lái)經(jīng)濟(jì)效益。

然而，開(kāi)關(guān)電源有一個(gè)最大的缺點(diǎn)，就是在控制MOS管關(guān)斷的瞬間，開(kāi)關(guān)電源變壓器的初級(jí)線圈和次級(jí)線圈都會(huì)產(chǎn)生很高的反電動(dòng)勢(shì)，損傷MOS管，從而導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電源無(wú)法起作用。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的之一是提供一種 MOS管尖峰電壓抑制電路，另一目的是提供一種具有所述MOS管尖峰電壓抑制電路的開(kāi)關(guān)電源，解決MOS管尖峰電壓過(guò)高導(dǎo)致MOS 管損傷的技術(shù)問(wèn)題。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

一種MOS管尖峰電壓抑制電路，包括電源、MOS管、開(kāi)關(guān)電源變壓器、第一吸收電路和第二吸收電路，所述開(kāi)關(guān)電源變壓器包括初級(jí)線圈N1、反饋線圈N2和次級(jí)線圈N3，所述初級(jí)線圈N1的異名端經(jīng)MOS管連接電源，所述初級(jí)線圈N1的同名端與第一吸收電路連接，所述反饋線圈N2的同名端接地，所述反饋線圈N2的異名端與第二吸收電路連接，所述反饋線圈N2的異名端還經(jīng)一消反峰二極管與第一吸收電路連接，所述次級(jí)線圈N3連接負(fù)載。

進(jìn)一步，所述第一吸收電路包括電容C1和電阻R1，所述電容 C1的一端與初級(jí)線圈N1的同名端連接，所述電容C1的另一端與電阻R1的一端連接，所述電阻R1的另一端與MOS管連接。

進(jìn)一步，所述第二吸收電路包括電容C2，所述電容C2的一端與反饋線圈N2的異名端連接，所述電容C2的另一端與MOS管連接。

進(jìn)一步，所述電容C2采用高壓瓷片電容。

一種開(kāi)關(guān)電源，包括所述MOS管尖峰電壓抑制電路。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型采用消反峰二極管對(duì)尖峰電壓限幅，采用第一吸收電路和第二吸收電路消除電壓，成本低，發(fā)熱量低，還能有效的幫助抑制MOS管尖峰電壓。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述：

圖1是MOS管尖峰電壓抑制電路的電路圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型方案，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。