[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821472505.8
• 申請(qǐng)日: 2018-09-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208589443U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/108
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/108
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 張臻賢;王珺

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

具有多個(gè)有源區(qū)的襯底，所述有源區(qū)包括源漏極區(qū)和在所述源漏極區(qū)之間的位線(xiàn)接觸區(qū)，所述有源區(qū)在所述源漏極區(qū)和所述位線(xiàn)接觸區(qū)之間設(shè)置字線(xiàn)段和掩埋所述字線(xiàn)段的字線(xiàn)絕緣結(jié)構(gòu)，所述位線(xiàn)接觸區(qū)相對(duì)凹陷于所述源漏極區(qū)；

保護(hù)層，形成于所述源漏極區(qū)上，所述保護(hù)層覆蓋所述字線(xiàn)絕緣結(jié)構(gòu)并具有在所述位線(xiàn)接觸區(qū)上形成的接觸通道，所述接觸通道連通到所述位線(xiàn)接觸區(qū)；

阻擋層，覆蓋所述接觸通道的側(cè)壁和底部；

位線(xiàn)層，形成在所述接觸通道之上且高于所述保護(hù)層，且所述位線(xiàn)層覆蓋所述阻擋層，所述位線(xiàn)層還具有一體形成在所述接觸通道內(nèi)的位線(xiàn)接觸部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻擋層中覆蓋所述接觸通道側(cè)壁的部分的上端面不低于所述襯底的上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻擋層在所述位線(xiàn)接觸區(qū)上的厚度范圍為3～5納米，所述阻擋層用于避免所述位線(xiàn)接觸部和所述位線(xiàn)接觸區(qū)直接接觸造成的所述位線(xiàn)接觸部向所述位線(xiàn)接觸區(qū)的擴(kuò)散。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻擋層的材料包括氮化鈦、氮化鉭中的一種或組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述位線(xiàn)層覆蓋所述阻擋層中覆蓋所述接觸通道的側(cè)壁部分的上端面。