[實(shí)用新型]三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821460559.2 | 申請日: | 2018-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN208781846U | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 華子群;劉峻 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L27/11578 | 分類號: | H01L27/11578 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳;陳麗麗 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 下層 三維存儲(chǔ)器 互連結(jié)構(gòu) 本實(shí)用新型 方向設(shè)置 轉(zhuǎn)接 上層 半導(dǎo)體制造技術(shù) 導(dǎo)線電連接 導(dǎo)線連接 方向垂直 方向延伸 電連接 線寬 錯(cuò)位 | ||
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述下層導(dǎo)線為位線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
第一導(dǎo)電連接柱,沿所述第二方向延伸,且所述第一導(dǎo)電連接柱的一端連接所述位線的所述端部、另一端連接所述轉(zhuǎn)接墊;
第二導(dǎo)電連接柱,沿所述第二方向延伸,且所述第二導(dǎo)電連接柱的一端連接所述上層導(dǎo)線、另一端連接所述轉(zhuǎn)接墊;
所述第二導(dǎo)電連接柱沿所述第二方向的高度大于所述第一導(dǎo)電連接柱沿所述第二方向的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述互連結(jié)構(gòu)沿所述第二方向?qū)盈B于具有溝道孔的堆疊結(jié)構(gòu)之上;所述互連結(jié)構(gòu)還包括:
第三導(dǎo)電連接柱,沿所述第二方向設(shè)置于所述位線下方,且其一端連接所述位線、另一端連接插塞,用于通過所述插塞向所述溝道孔傳輸位線信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
多條沿第三方向平行排列的所述位線,所述第三方向同時(shí)與所述第一方向和所述第二方向垂直;
與多條所述位線一一對應(yīng)的多條所述上層導(dǎo)線,且多條所述上層導(dǎo)線沿所述第三方向平行排列;
與多條所述位線一一對應(yīng)的多個(gè)所述轉(zhuǎn)接墊,多個(gè)所述轉(zhuǎn)接墊至少部分分布于外圍區(qū)域,所述外圍區(qū)域?yàn)閲@所述堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)置的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu),其特征在于,多個(gè)所述轉(zhuǎn)接墊均分布于所述外圍區(qū)域;
多條所述位線沿所述第三方向依次排序;與第奇數(shù)條所述位線連接的所述轉(zhuǎn)接墊和與第偶數(shù)條所述位線連接的所述轉(zhuǎn)接墊分別位于所述堆疊結(jié)構(gòu)相對兩側(cè)的所述外圍區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu),其特征在于,多個(gè)所述轉(zhuǎn)接墊劃分為第一組轉(zhuǎn)接墊、第二組轉(zhuǎn)接墊和第三組轉(zhuǎn)接墊;沿所述第一方向上,所述第一組轉(zhuǎn)接墊與所述第二組轉(zhuǎn)接墊位于所述堆疊結(jié)構(gòu)相對兩側(cè)的所述外圍區(qū)域,所述第三組轉(zhuǎn)接墊沿所述第二方向位于所述堆疊結(jié)構(gòu)上;
多條所述位線沿所述第三方向依次排序;所述第一組轉(zhuǎn)接墊與第3n-2條位線連接,所述第二組轉(zhuǎn)接墊與第3n-1條位線連接,所述第三組轉(zhuǎn)接墊與第3n條位線連接;其中,n為正整數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一組轉(zhuǎn)接墊中的若干轉(zhuǎn)接墊、所述第二組轉(zhuǎn)接墊中的若干轉(zhuǎn)接墊和所述第三組轉(zhuǎn)接墊中的若干轉(zhuǎn)接墊均沿所述第三方向平行排列。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述轉(zhuǎn)接墊為沿所述第一方向延伸的矩形形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器中的互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述三維存儲(chǔ)器為3D NAND存儲(chǔ)器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,未經(jīng)長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821460559.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 混合層三維存儲(chǔ)器
- 一種三維存儲(chǔ)器及其制備方法
- 三維存儲(chǔ)器字線電阻的測量方法
- 三維存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)制作方法、存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備
- 一種非易失三維存儲(chǔ)器的控制電路
- 一種基于深度學(xué)習(xí)三維模型的自動(dòng)生成裝置和方法
- 用于多維存儲(chǔ)器的選擇性錯(cuò)誤率信息
- 掩膜板、三維存儲(chǔ)器及相關(guān)制備與測量方法
- 一種基于三維卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的映射裝置及方法
- 三維存儲(chǔ)器件、三維存儲(chǔ)器及其操作方法和三維存儲(chǔ)器系統(tǒng)





