[實用新型]三維存儲器中的互連結構

有效

• 申請號: 201821460559.2
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN208781846U
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 華子群;劉峻
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳;陳麗麗

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種三維存儲器中的互連結構。所述三維存儲器中的互連結構包括：下層導線，沿第一方向延伸；上層導線，沿與所述第一方向垂直的第二方向設置于所述下層導線上方；轉接墊，沿所述第二方向設置于所述下層導線下方；所述轉接墊的一端電連接所述下層導線的端部、另一端與所述上層導線電連接。本實用新型避免了因下層導線線寬較窄導致的上層導線與下層導線連接時易出現錯位的問題，避免了相鄰下層導線之間的相互影響，改善了三維存儲器的性能。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種三維存儲器中的互連結構。

背景技術

隨著技術的發展，半導體工業不斷尋求新的方式生產，以使得存儲器裝置中的每一存儲器裸片具有更多數目的存儲器單元。在非易失性存儲器中，例如NAND存儲器，增加存儲器密度的一種方式是通過使用垂直存儲器陣列，即3D NAND(三維NAND)存儲器；隨著集成度的越來越高，3D NAND存儲器已經從32層發展到64層，甚至更高的層數。

在3D NAND存儲器中，具有襯底以及位于所述襯底上的堆疊結構。所述堆疊結構由層間絕緣層和柵極交替堆疊形成，包括核心區域以及圍繞所述核心區域設置的臺階區域。所述核心區域，用于信息的存儲；所述臺階區域，位于所述堆疊結構的端部，用于向所述核心區域傳輸控制信息，以實現信息在所述核心區域的讀寫。在3D NAND存儲器中，還包括沿垂直于所述襯底的方向依次設置于所述堆疊結構上方的位線，用于向所述堆疊結構中的溝道孔傳輸控制信號。但是，隨著3D NAND存儲器集成密度的不斷增大，用于傳遞控制信號的位線數量不斷增大，相鄰位線之間的距離不斷縮小，相鄰位線之間相互影響的問題逐漸凸顯，從而間接對3D NAND存儲器的存儲性能造成影響。

因此，如何避免相鄰位線之間的相互影響，提高3D NAND存儲器的性能，是目前亟待解決的技術問題。

實用新型內容

本實用新型提供一種三維存儲器中的互連結構，用于解決現有的三維存儲器中相鄰位線易相互影響的問題，以改善3D NAND存儲器的性能。

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種三維存儲器中的互連結構，包括：

下層導線，沿第一方向延伸；

上層導線，沿與所述第一方向垂直的第二方向設置于所述下層導線上方；

轉接墊，沿所述第二方向設置于所述下層導線下方；所述轉接墊的一端電連接所述下層導線的端部、另一端與所述上層導線電連接。

優選的，所述下層導線為位線。

優選的，還包括：

第一導電連接柱，沿所述第二方向延伸，且所述第一導電連接柱的一端連接所述位線的所述端部、另一端連接所述轉接墊；

第二導電連接柱，沿所述第二方向延伸，且所述第二導電連接柱的一端連接所述上層導線、另一端連接所述轉接墊；

所述第二導電連接柱沿所述第二方向的高度大于所述第一導電連接柱沿所述第二方向的高度。

優選的，所述互連結構沿所述第二方向層疊于具有溝道孔的所述堆疊結構之上；所述互連結構還包括：

第三導電連接柱，沿所述第二方向設置于所述位線下方，且其一端連接所述位線、另一端連接插塞，用于通過所述插塞向所述溝道孔傳輸位線信號。

優選的，還包括：

多條沿第三方向平行排列的所述位線，所述第三方向同時與所述第一方向和所述第二方向垂直；

與多條所述位線一一對應的多條所述上層導線，且多條所述上層導線沿所述第三方向平行排列；