[實用新型]一種半導體處理裝置

有效

• 申請號: 201821459515.8
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN208706594U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 溫子瑛;王致凱
• 申請（專利權）人: 無錫華瑛微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/673
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 孫際德

本實用新型提供了一種半導體處理裝置，其包括：第一腔室部；可相對于第一腔室部在打開位置和關閉位置之間移動的第二腔室部，其中在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關閉位置時，第一腔室部和第二腔室部之間形成有微腔室。第一腔室部具有在該第一腔室部面向所述微腔室的內壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在該第二腔室部面向所述微腔室的內壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相對于第一腔室部位于關閉位置且微腔室內容納有半導體晶圓時，第一槽道和第二槽道連通并共同形成邊緣微處理空間，容納于微腔室內的半導體晶圓的外緣伸入邊緣微處理空間。借助邊緣微處理空間，本實用新型能夠實現對半導體晶圓的外緣的處理。

【技術領域】

本實用新型涉及半導體晶圓或相似工件的表面處理領域，特別涉及半導體處理裝置。

【背景技術】

專利號為201210171681.9和201210088237.0的中國專利都公開了一種用于半導體晶圓處理的微腔室處理裝置。所述微腔室處理裝置均包括第一腔室部和第二腔室部，所述第一腔室部和第二腔室部可在一驅動裝置的驅動下裝載和/或移除該半導體晶圓的打開位置和一用于容納并處理該半導體晶圓的關閉位置之間相對移動。第一腔室部與第二腔室部處于關閉位置時形成一微腔室，半導體晶圓放置于所述微腔室內，所述第一腔室部和/或所述第二腔室部中包括一個或多個供處理流體進入的所述微腔室的入口和一個或多個供處理流體排出所述微腔室的出口。處理過程中，處理流體充滿整個所述微腔室，而半導體晶圓則整體暴露在處理流體內，因此該微腔室處理裝置僅適合對半導體晶圓的整體處理。

然而，在一些特殊的半導體器件工藝中，僅需要對半導體晶圓的外緣部分進行針對性處理，且處理過程中不能對半導體晶圓的其他部分造成影響。

例如，在一種半導體器件生產過程中，需要將半導體晶圓的外緣部分的薄膜層蝕刻去除而不能破壞其他部分的薄膜層，下面結合附圖對該工藝進行描述。

請參考圖1a至圖1d，其中：圖1a示出了一種半導體晶圓400的結構示意圖，圖1b為圖1a的A-A剖視圖；圖1c為外緣處理前半導體晶圓的外緣的部分剖視圖；圖1d為外緣處理后半導體晶圓的外緣部分的剖視圖。如圖1a至圖1d所示，半導體晶圓400包括基材層401及沉淀在基材層401的第一側表面和第二側表面的薄膜層402。經過對半導體晶圓400的外緣部分的針對性腐蝕處理后，所述半導體晶圓400的外緣部分的薄膜層402被去除，基材層401的第一側表面和第二側表面得以暴露。目前，為了實現對半導體晶圓的外緣的針對性腐蝕，一般采用干法工藝，將等離子體發生器對準半導體晶圓的外緣部分進行精準轟擊以去除外緣部分的薄膜層，干法工藝的成本高昂、操作復雜。

鑒于此，有必要對現有技術中的微腔室處理裝置進行改造，以研制出一種新型的能夠實現對半導體晶圓的外緣進行針對性的處理的半導體處理裝置。

【實用新型內容】

本實用新型的目的在于提供一種半導體處理裝置，其能夠實現對半導體晶圓的外緣的針對性處理。

為實現上述目的，本實用新型提供一種半導體處理裝置，其包括：

第一腔室部；

可相對于第一腔室部在打開位置和關閉位置之間移動的第二腔室部，其中在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關閉位置時，第一腔室部和第二腔室部之間形成有微腔室，一片或多片疊放在一起的半導體晶圓能夠容納于所述微腔室內，在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述打開位置時，所述半導體晶圓能夠被取出或放入；

第一腔室部具有在該第一腔室部面向所述微腔室的內壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在該第二腔室部面向所述微腔室的內壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關閉位置且所述微腔室內容納有半導體晶圓時，第一槽道和第二槽道連通并共同形成邊緣微處理空間，容納于所述微腔室內的半導體晶圓的外緣伸入所述邊緣微處理空間，該邊緣微處理空間通過邊緣處理通孔與外部相通，流體通過所述邊緣處理通孔進入或流出所述邊緣微處理空間。