[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821459515.8
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN208706594U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 溫子瑛;王致凱
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/673
• 代理公司: 無錫互維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236
• 代理人: 孫際德

1.一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其包括：

第一腔室部；

可相對于第一腔室部在打開位置和關(guān)閉位置之間移動的第二腔室部，其中在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關(guān)閉位置時(shí)，第一腔室部和第二腔室部之間形成有微腔室，一片或多片疊放在一起的半導(dǎo)體晶圓能夠容納于所述微腔室內(nèi)，在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述打開位置時(shí)，所述半導(dǎo)體晶圓能夠被取出或放入；

第一腔室部具有在該第一腔室部面向所述微腔室的內(nèi)壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在該第二腔室部面向所述微腔室的內(nèi)壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關(guān)閉位置且所述微腔室內(nèi)容納有半導(dǎo)體晶圓時(shí)，第一槽道和第二槽道連通并共同形成邊緣微處理空間，容納于所述微腔室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓的外緣伸入所述邊緣微處理空間，該邊緣微處理空間通過邊緣處理通孔與外部相通，流體通過所述邊緣處理通孔進(jìn)入或流出所述邊緣微處理空間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體晶圓的外緣的第一側(cè)表面、第二側(cè)表面和外端面暴露于所述邊緣微處理空間，所述邊緣處理通孔中的一個(gè)或多個(gè)作為流體入口，所述邊緣處理通孔中的一個(gè)或多個(gè)作為流體出口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，

所述邊緣微處理空間為環(huán)形，所述半導(dǎo)體晶圓的整個(gè)外緣都伸入所述邊緣微處理空間，所述邊緣微處理空間為封閉空間，僅通過邊緣處理通孔與外部相通；

所述第一槽道的內(nèi)側(cè)壁部頂面抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半導(dǎo)體晶圓的第一側(cè)表面上，所述第二槽道的內(nèi)側(cè)壁部頂面抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半導(dǎo)體晶圓的第二側(cè)表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其還包括有一個(gè)或多個(gè)圓形墊片，該圓形墊片的直徑小于所述半導(dǎo)體晶圓的直徑，

在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關(guān)閉位置時(shí)，所述微腔室內(nèi)能夠容納多片半導(dǎo)體晶圓，每兩個(gè)半導(dǎo)體晶圓之間放置一個(gè)圓形墊片，

容納于所述微腔室內(nèi)的多片半導(dǎo)體晶圓中的每一個(gè)的外緣都伸入所述邊緣微處理空間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，

所述邊緣微處理空間為環(huán)形，每個(gè)半導(dǎo)體晶圓的整個(gè)外緣都伸入所述邊緣微處理空間，每個(gè)半導(dǎo)體晶圓的外緣的上表面、下表面和外端面均暴露于所述邊緣微處理空間。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述圓形墊片和所述半導(dǎo)體晶圓共心放置。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其還包括設(shè)置于第一腔室部和/或第二腔室部上的高度調(diào)整機(jī)構(gòu)，高度調(diào)整機(jī)構(gòu)能夠調(diào)整所述微腔室的高度以容納不同數(shù)量的半導(dǎo)體晶圓。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述高度調(diào)整機(jī)構(gòu)包括可拆卸墊圈。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，

所述第二腔室部具有形成于第二腔室部面向所述微腔室的內(nèi)壁表面的一個(gè)或多個(gè)凹陷部，所述一個(gè)或多個(gè)凹陷部位于第二槽道的內(nèi)側(cè)；

在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關(guān)閉位置且所述半導(dǎo)體晶圓容納于所述微腔室內(nèi)時(shí)，靠近所述第二腔室部的所述半導(dǎo)體晶圓的第二側(cè)表面遮蓋住所述一個(gè)或多個(gè)凹陷部的頂部以形成一個(gè)或多個(gè)內(nèi)側(cè)微處理空間，各所述內(nèi)側(cè)微處理空間通過內(nèi)側(cè)處理通孔與外部相通，流體通過所述內(nèi)側(cè)處理通孔進(jìn)入或流出各所述內(nèi)側(cè)微處理空間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述內(nèi)側(cè)處理通孔中的一個(gè)或多個(gè)作為流體入口，所述內(nèi)側(cè)處理通孔中的一個(gè)或多個(gè)作為流體出口，所述內(nèi)側(cè)微處理空間為封閉空間，僅通過；內(nèi)側(cè)處理通孔與外部相通。