[實用新型]一種低殘壓瞬態二極管TVS

有效

• 申請號: 201821454912.6
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號: CN208835070U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 張猛;梁令榮;黃俊
• 申請（專利權）人: 伯恩半導體（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種低殘壓瞬態二極管TVS，包括襯底、擴區和短路孔；所述襯底上設置與襯底摻雜類型相反的擴區；所述擴區上設置與擴區摻雜類型相反的短路孔；所述短路孔并排間隔設置于擴區上。所述襯底為N型襯底，所述N型襯底上設置P+型擴區，所述P+型擴區上設置N+型短路孔。所述襯底為P型襯底，所述P型襯底上設置N+型擴區，所述N+型擴區上設置P+型短路孔。本實用新型提供的低殘壓瞬態二極管TVS，通過T2觸發實現SCR導通，降低保護電路殘壓，解決了傳統TVS在敏感保護領域的應用問題。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件技術領域，特別是一種低殘壓瞬態二極管TVS。

背景技術

針對手機快充保護，由于涉及升壓大電流環境，要求保護器件耐電流能力、殘壓都要很低，對于功率型保護器件而言，如何解決鉗位是當前最為迫切的問題。

對于當前的TVS管，多采用P襯摻N或者N襯摻P來實現，對于快充領域殘壓的敏感性無法忽略該問題的影響。

實用新型內容

本實用新型的目的是提出一種低殘壓瞬態二極管TVS；本產品通過將穿通和雪崩效應結合，實現了大擊穿下驟回來降低殘壓的效果。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現的：

本實用新型提供的低殘壓瞬態二極管TVS，包括襯底、擴區、短路孔；所述襯底上設置與襯底摻雜類型相反的擴區；所述擴區上設置與擴區摻雜類型相反的短路孔；所述短路孔并排間隔設置于擴區上。

進一步，所述襯底為N型襯底，所述N型襯底上設置P+型擴區，所述P+型擴區上設置N+型短路孔。

進一步，所述襯底為P型襯底，所述P型襯底上設置N+型擴區，所述N+型擴區上設置P+型短路孔。

由于采用了上述技術方案，本實用新型具有如下的優點：

本實用新型提供的低殘壓瞬態二極管TVS，通過T2觸發實現SCR導通，降低保護電路殘壓，解決了傳統TVS在敏感保護領域的應用問題。

本實用新型的其他優點、目標和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進行闡述，并且在某種程度上，基于對下文的考察研究對本領域技術人員而言將是顯而易見的，或者可以從本實用新型的實踐中得到教導。本實用新型的目標和其他優點可以通過下面的說明書來實現和獲得。

附圖說明

本實用新型的附圖說明如下。

圖1為本實用新型的NPN器件結構。

圖2為本實用新型的PNP器件結構。

圖3為本實用新型的PNP結構N+區注入擴散。

圖4為本實用新型的PNP結構P+擴區。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

如圖1、圖2所示，本實施例提供的低殘壓瞬態二極管TVS，包括襯底、擴區、短路孔；所述襯底上設置與襯底摻雜類型相反的擴區；所述擴區上設置與擴區摻雜類型相反的短路孔；所述短路孔并排間隔設置于擴區上。

此器件有兩種結構，分別是NPN結構和PNP結構，具體如下：

如圖1所示，為NPN器件結構；所述襯底為N型襯底，所述N型襯底上設置P+型擴區，所述P+型擴區上設置N+型短路孔。

如圖2所示，為PNP器件結構；所述襯底為P型襯底，所述P型襯底上設置N+型擴區，所述N+型擴區上設置P+型，并在N+型(或P+型)之間設置有短路孔。