[實用新型]一種低殘壓瞬態二極管TVS有效
| 申請號： | 201821454912.6 | 申請日： | 2018-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN208835070U | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 張猛;梁令榮;黃俊 | 申請（專利權）人： | 伯恩半導體（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 短路孔 殘壓 瞬態二極管 本實用新型 摻雜類型 并排間隔設置 應用問題 觸發 導通 電路 敏感 | ||
【權利要求書】：
1.一種低殘壓瞬態二極管TVS，其特征在于：包括襯底、擴區和短路孔；所述襯底上設置與襯底摻雜類型相反的擴區；所述擴區上設置與擴區摻雜類型相反的摻雜區；并在摻雜區之間設置有短路孔；所述短路孔并排間隔設置于擴區上。
2.如權利要求1所述的低殘壓瞬態二極管TVS，其特征在于：所述襯底為N型襯底，所述N型襯底上設置P+型擴區，所述P+型擴區上設置N+型短路孔。
3.如權利要求1所述的低殘壓瞬態二極管TVS，其特征在于：所述襯底為P型襯底，所述P型襯底上設置N+型擴區，所述N+型擴區上設置P+型短路孔。
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