[實用新型]用于晶片劈裂工藝的分離設備有效
| 申請號: | 201821448302.5 | 申請日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN209169111U | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發明(設計)人: | 陳孟端 | 申請(專利權)人: | 正恩科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 聶慧荃;鄭特強 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 劈裂 作用裝置 分離設備 感測裝置 晶片 厚度變化 晶片表面 晶片劈裂 感測 配置 | ||
一種分離設備包括:一用以劈裂晶片的作用裝置以及一用以感測該作用裝置所產生的劈裂力度的感測裝置,故通過該感測裝置的配置,以于劈裂作業時,可依據該晶片表面的厚度變化,適時調整該作用裝置的劈裂力度,以確保劈裂作業的每一個晶片的劈裂品質的一致性。
技術領域
本實用新型涉及一種分離設備,尤其涉及一種可用于半導體晶片劈裂制程的分離設備。
背景技術
現有半導體制程中,晶片于制造完成后,會進行薄化制程、切單制程、封裝制程等,其中,切單制程的方式繁多,例如:激光切割、機械切割、劈裂分離等。
如圖1及圖2所示,現有劈裂式分離設備1包括:一機臺本體(圖略)、一設于該機臺本體下側的基座10、一設于該機臺本體上側的劈裂裝置12、以及一設于該基座10上的貼膜13。
于進行劈裂作業時,先將一具有多個預切割道80的晶片8粘貼于該貼膜13上,再將該劈裂裝置12的劈刀120對位于其中一預切割道80上,并利用該劈裂裝置12的震動件121撞擊(如箭頭方向F)該劈刀120,使該劈刀120碰觸該晶片8對應該預切割道80的背面位置A,以令該晶片8沿該預切割道80裂開(如裂痕S)。之后重復上述該劈裂裝置12的劈裂步驟,以于該晶片8背面的直向與橫向上劈裂各該預切割道80,使該晶片8分離成多個晶粒8a。
于劈裂作業中,現有分離設備1中,該劈裂裝置12僅設有一種規格的劈刀120,并于劈裂前,通過影像采集方式判斷該晶片8對應該預切割道 80的背面位置A(如圖3所示的影像),且由于現有晶片8表面并非相同水平,例如,其厚度呈中間厚且外圍薄的型態,故于進行劈裂作業時,需先依據該晶片8的厚度變化調整該劈刀120相對該晶片8的高度位置(如箭頭方向H),該震動件121才會撞擊該劈刀120。
然而,現有影像采集方式僅提供平面影像信息(如圖3所示),并無法描述該晶片8的厚度變化,致使于同一規格的劈刀120以相同劈裂力道進行劈裂作業時,僅能控制該劈刀120的高度位置以配合該晶片8的不同處進行劈裂作業,因而容易于該晶片8的部分位置發生晶粒8a破碎(該劈刀 120的下降距離過多致使劈裂力度過大)或未有效分離晶粒8a(該劈刀120 的下降距離過小致使劈裂力度過小或未接觸該晶片8)的情況,故現有劈裂作業難以獲得一致的劈裂品質。
因此,如何克服現有技術的問題,實為一重要課題。
實用新型內容
為解決上述現有技術的問題,本實用新型遂公開一種分離設備,可確保劈裂作業的每一個晶片的劈裂品質的一致性。
本實用新型的用于晶片劈裂工藝的分離設備,該分離設備包括:作用裝置,其用以將一晶片分離出多個晶粒;以及感測裝置,其用以感測該作用裝置作用于該晶片上的作用力。
前述的分離設備中,該感測裝置包含一荷重元。
前述的分離設備中,該感測裝置設于該作用裝置上。
前述的分離設備中,該感測裝置與該作用裝置分開配置。
前述的分離設備中,該作用裝置具有刀具。前述的分離設備中,還包括基座,其位于該作用裝置下方,以承載該晶片。
前述的分離設備中,該基座上設有一承載件,以承載該晶片。例如,該承載件為粘性片體。
本實用新型的分離設備中,主要通過該感測裝置的配置,以感測該作用裝置作用于例如晶片的目標物上的作用力,故相較于現有技術,本實用新型的分離設備應用于劈裂作業時,可依據該晶片表面的厚度變化,適時調整該作用裝置的劈裂力度,以確保劈裂作業的每一個晶片的劈裂品質的一致性。
附圖說明
圖1為現有分離設備的剖面示意圖。
圖2為圖1的局部放大示意圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于正恩科技有限公司,未經正恩科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821448302.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種光電設備的組件檢測裝置
- 下一篇:一種電子元件IC芯片的引腳插針修復裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





