[實用新型]用于晶片劈裂工藝的分離設備有效
| 申請號： | 201821448302.5 | 申請日： | 2018-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN209169111U | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發明（設計）人： | 陳孟端 | 申請（專利權）人： | 正恩科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;鄭特強 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 劈裂 作用裝置 分離設備 感測裝置 晶片 厚度變化 晶片表面 晶片劈裂 感測 配置 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于晶片劈裂工藝的分離設備，其特征在于，該分離設備包括：
作用裝置，其用以將一晶片分離出多個晶粒；以及
感測裝置，其用以感測該作用裝置作用于該晶片上的作用力。
2.根據權利要求1所述的用于晶片劈裂工藝的分離設備，其特征在于，該感測裝置包含一荷重元。
3.根據權利要求1所述的用于晶片劈裂工藝的分離設備，其特征在于，該感測裝置設于該作用裝置上。
4.根據權利要求1所述的用于晶片劈裂工藝的分離設備，其特征在于，該感測裝置與該作用裝置分開配置。
5.根據權利要求1所述的用于晶片劈裂工藝的分離設備，其特征在于，該分離設備進一步包括基座，其位于該作用裝置下方，以承載該晶片。
6.根據權利要求5所述的用于晶片劈裂工藝的分離設備，其特征在于，該基座上設有一承載件，以承載該晶片。
7.根據權利要求6所述的用于晶片劈裂工藝的分離設備，其特征在于，該承載件為粘性片體。
8.根據權利要求1所述的用于晶片劈裂工藝的分離設備，其特征在于，該作用裝置具有刀具。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
