[實(shí)用新型]微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821447470.2 | 申請日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN208983904U | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周文斌;胡學(xué)功;何雨 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院工程熱物理研究所 |
| 主分類號: | F28D15/04 | 分類號: | F28D15/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 李坤 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微通道結(jié)構(gòu) 微通道 納米棒陣列 復(fù)合結(jié)構(gòu) 納米棒陣列結(jié)構(gòu) 毛細(xì)壓力 高滲透 表面原位生成 本實(shí)用新型 微納米尺度 并列設(shè)置 毛細(xì)性能 納米結(jié)構(gòu) 微米結(jié)構(gòu) 協(xié)同效應(yīng) 粗糙度 基板 | ||
本實(shí)用新型提供一種微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu),該微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu)包括:微通道結(jié)構(gòu)以及納米棒陣列結(jié)構(gòu);微通道結(jié)構(gòu)設(shè)置在基板上,用于提供高滲透率;納米棒陣列結(jié)構(gòu),設(shè)置在微通道結(jié)構(gòu)的表面,用于提高微通道結(jié)構(gòu)的毛細(xì)壓力;其中,微通道結(jié)構(gòu)中的微通道包括N條,N條微通道并列設(shè)置,N≥1。通過在微通道結(jié)構(gòu)的表面原位生成特定的納米棒陣列結(jié)構(gòu),提高了表面微納米尺度下的粗糙度,在顯著提高原始微通道結(jié)構(gòu)的毛細(xì)壓力的同時維持了微通道結(jié)構(gòu)自身的高滲透率,表面微米結(jié)構(gòu)和納米結(jié)構(gòu)特性的協(xié)同效應(yīng)使得微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu)具有很高的毛細(xì)性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及微流體管理及相變傳熱技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
毛細(xì)壓力驅(qū)動的液體流動和氣液相變現(xiàn)象普遍存在于自然界和工業(yè)過程中,在許多應(yīng)用中表現(xiàn)出非常重要的作用,比如海水脫鹽和淡水純化、微流體管理、高效的熱質(zhì)傳遞,尤其是高功率密度電子器件冷卻。被動式的兩相傳熱器件,如熱管、毛細(xì)微槽蒸發(fā)器、蒸汽腔等,能有效解決制約當(dāng)今電子工業(yè)發(fā)展的熱管理瓶頸問題,具有毛細(xì)結(jié)構(gòu)的部件是這些器件的核心部件,其毛細(xì)性能決定了兩相傳熱器件的最大取熱能力。在評價毛細(xì)結(jié)構(gòu)的毛細(xì)性能時,需要綜合考慮毛細(xì)壓力和滲透率這兩個因素
近些年,具有優(yōu)異毛細(xì)性能的開放式微通道結(jié)構(gòu)受到了巨大關(guān)注,其通道的結(jié)構(gòu)尺寸為幾十到幾百微米,他們優(yōu)異的毛細(xì)性能主要是歸因于大的滲透率,比如他們的滲透率比傳統(tǒng)的燒結(jié)金屬粉末形成的多孔毛細(xì)結(jié)構(gòu)要大兩個數(shù)量級。這些微通道毛細(xì)結(jié)構(gòu)的毛細(xì)性能還有很大的提升空間,主要是因?yàn)槲⑼ǖ辣旧淼拿?xì)壓力不夠大。最近,研究者通過在微通道內(nèi)增加燒結(jié)金屬粉末多孔涂層、微柱結(jié)構(gòu)、凹坑結(jié)構(gòu)等方法去改善原始微通道結(jié)構(gòu)的毛細(xì)性能,獲得了一些進(jìn)展。
然而,在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中,本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn),現(xiàn)有研究中的改進(jìn)方法有些對微通道結(jié)構(gòu)毛細(xì)壓力的提升幅度不大,有些會使得微通道固有的高滲透率變小,因此從整體而言,限制了微通道毛細(xì)性能的進(jìn)一步提高。此外,這些改進(jìn)方法有的涉及較復(fù)雜的制備流程,有的加工成本較高,因此也不利于實(shí)際應(yīng)用。
實(shí)用新型內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
基于上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供一種微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu),以緩解現(xiàn)有技術(shù)中的改進(jìn)方法對微通道結(jié)構(gòu)毛細(xì)壓力的提升幅度不大,有些會使得微通道固有的高滲透率變小,并且制備流程復(fù)雜,成本較高的技術(shù)問題。
(二)技術(shù)方案
本實(shí)用新型提供一種微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu),包括:微通道結(jié)構(gòu),設(shè)置在基板上,用于提供高滲透率;以及納米棒陣列結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述微通道結(jié)構(gòu)的表面,用于提高所述微通道結(jié)構(gòu)的毛細(xì)壓力;其中,所述微通道結(jié)構(gòu)中的微通道包括N條,N條所述微通道并列設(shè)置,N≥1。
在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,所述納米棒陣列結(jié)構(gòu)中:納米棒的直徑介于5nm至900nm之間,所述納米棒的長度介于100nm至50μm之間。
在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,所述微通道的橫截面為矩形、梯形、三角形或圓弧形。
在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,其中:所述微通道的寬度介于10μm至950μm之間;所述微通道的深度介于10μm至2000μm之間;兩相鄰所述微通道的間距介于20μm至2000μm之間。
在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,所述基板為鋁、鋁合金、銅、銅合金、半導(dǎo)體、陶瓷或氧化物中的至少一種。
在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,所述納米棒陣列結(jié)構(gòu)為鋁納米棒陣列結(jié)構(gòu)、鋁化合物納米棒陣列結(jié)構(gòu)、銅納米棒陣列結(jié)構(gòu)、銅化合物納米棒陣列結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體納米棒陣列結(jié)構(gòu)、陶瓷納米棒陣列結(jié)構(gòu)或氧化物納米棒陣列結(jié)構(gòu)中的至少一種。
(三)有益效果
從上述技術(shù)方案可以看出,本實(shí)用新型提供的微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu)具有以下有益效果:
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