[實(shí)用新型]微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821447470.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208983904U | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周文斌;胡學(xué)功;何雨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院工程熱物理研究所 |
| 主分類號(hào): | F28D15/04 | 分類號(hào): | F28D15/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 李坤 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微通道結(jié)構(gòu) 微通道 納米棒陣列 復(fù)合結(jié)構(gòu) 納米棒陣列結(jié)構(gòu) 毛細(xì)壓力 高滲透 表面原位生成 本實(shí)用新型 微納米尺度 并列設(shè)置 毛細(xì)性能 納米結(jié)構(gòu) 微米結(jié)構(gòu) 協(xié)同效應(yīng) 粗糙度 基板 | ||
1.一種微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu),包括:
微通道結(jié)構(gòu),設(shè)置在基板上,用于提供高滲透率;以及
納米棒陣列結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述微通道結(jié)構(gòu)的表面,用于提高所述微通道結(jié)構(gòu)的毛細(xì)壓力;
其中,所述微通道結(jié)構(gòu)中的微通道包括N條,N條所述微通道并列設(shè)置,N≥1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu),所述納米棒陣列結(jié)構(gòu)中:納米棒的直徑介于5nm至900nm之間,所述納米棒的長度介于100nm至50μm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu),所述微通道的橫截面為矩形、梯形、三角形或圓弧形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu),其中:
所述微通道的寬度介于10μm至950μm之間;
所述微通道的深度介于10μm至2000μm之間;
兩相鄰所述微通道的間距介于20μm至2000μm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu),所述基板為鋁、鋁合金、銅、銅合金、半導(dǎo)體、陶瓷或氧化物中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu),所述納米棒陣列結(jié)構(gòu)為鋁納米棒陣列結(jié)構(gòu)、鋁化合物納米棒陣列結(jié)構(gòu)、銅納米棒陣列結(jié)構(gòu)、銅化合物納米棒陣列結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體納米棒陣列結(jié)構(gòu)、陶瓷納米棒陣列結(jié)構(gòu)或氧化物納米棒陣列結(jié)構(gòu)中的至少一種。
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