[實用新型]一種半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821441230.1
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN209056477U
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件結(jié)構(gòu)包括：

半導(dǎo)體襯底，具有復(fù)數(shù)個形成于所述半導(dǎo)體襯底中的有源區(qū)，及隔離所述有源區(qū)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有位于所述有源區(qū)上部的第一離子摻雜層和第二離子摻雜層，所述第一離子摻雜層和所述第二離子摻雜層具有不同深度，并且所述第一離子摻雜層具有第一導(dǎo)電類型，所述第二離子摻雜層具有第二導(dǎo)電類型；所述半導(dǎo)體襯底還具有形成于所述有源區(qū)內(nèi)的第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽將所述有源區(qū)分為側(cè)邊源區(qū)和中間漏區(qū)，其中所述側(cè)邊源區(qū)分別位于所述第一溝槽和所述第二溝槽外側(cè)，所述中間漏區(qū)位于相鄰所述第一溝槽和所述第二溝槽之間；

形成于所述第一溝槽和所述第二溝槽中的柵極組件，其中所述柵極組件與存儲器字線一體成型；在形成有所述柵極組件的所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)還形成有位于所述中間漏區(qū)的所述第一離子摻雜層下方的第三離子摻雜層，所述第三離子摻雜層具有第一導(dǎo)電類型，用以調(diào)節(jié)晶體管溝道兩側(cè)的非對稱長度；以及

形成于所述中間漏區(qū)的所述第一離子摻雜層上表面的引出組件，所述引出組件包括電接觸所述中間漏區(qū)的位線接觸和電接觸所述中間漏區(qū)的位線的一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件結(jié)構(gòu)還包括：形成于所述側(cè)邊源區(qū)的所述第一離子摻雜層下方的第四離子摻雜層，及形成于所述側(cè)邊源區(qū)的所述第一離子摻雜層上表面的節(jié)點接觸，其中所述第四離子摻雜層具有第二導(dǎo)電類型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件結(jié)構(gòu)還包括：形成于所述節(jié)點接觸上表面的電容器，當所述引出組件包括電接觸所述中間漏區(qū)的位線接觸時，所述器件結(jié)構(gòu)還包括：形成于所述位線接觸上表面的位線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三離子摻雜層的覆蓋區(qū)域?qū)?yīng)所述引出組件電接觸所述中間漏區(qū)的圖案。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中間漏區(qū)的所述第三離子摻雜層的底部和所述側(cè)邊源區(qū)的所述第一離子摻雜層的底部之間的高度差不小于所述第一離子摻雜層的深度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一離子摻雜層底部的離子植入深度一致，并且所述第一離子摻雜層的摻雜濃度由表面向內(nèi)遞減呈梯度變化；所述第三離子摻雜層底部的離子植入深度一致，并且所述第三離子摻雜層的摻雜濃度由表面向內(nèi)遞減呈梯度變化；所述第一離子摻雜層的摻雜濃度高于所述第三離子摻雜層的摻雜濃度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一離子摻雜層的深度與所述第三離子摻雜層的深度之和大于所述柵極組件的底部在所述有源區(qū)凹入的深度的一半，同時小于所述柵極組件的底部在所述有源區(qū)凹入的深度。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第四離子摻雜層底部的離子植入深度一致，并且所述第四離子摻雜層的摻雜濃度由表面向內(nèi)遞減呈梯度變化；所述第四離子摻雜層通過調(diào)節(jié)離子摻雜濃度和離子植入深度進行溝道調(diào)節(jié)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極組件由外至內(nèi)依次包括柵介質(zhì)層、金屬襯墊層及柵電極，其中所述柵介質(zhì)層的頂面與所述金屬襯墊層的頂面、所述柵電極的頂面、所述第一溝槽的頂面及所述第二溝槽的頂面持平。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極組件由外至內(nèi)依次包括柵介質(zhì)層、金屬襯墊層及柵電極，同時所述柵極組件還包括：形成于所述柵電極上表面的絕緣蓋帽層，其中所述柵介質(zhì)層的頂面與所述金屬襯墊層的頂面持平，并且高于所述柵電極的頂面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極組件由外至內(nèi)依次包括柵介質(zhì)層、金屬襯墊層及柵電極，同時所述柵極組件還包括：形成于所述柵介質(zhì)層、所述金屬襯墊層及所述柵電極上表面的絕緣蓋帽層，其中所述柵介質(zhì)層的頂面與所述金屬襯墊層的頂面持平，并且低于所述柵電極的頂面，所述柵電極的頂面低于所述第一溝槽和所述第二溝槽的頂面。