[實(shí)用新型]一種SIW平面濾波器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821436866.7
• 申請(qǐng)日: 2018-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN208539070U
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張丹;宗楚菁;丁振東;徐晨月
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京林業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01P1/20
• 分類號(hào): H01P1/20;H01P1/203
• 代理公司: 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 王清義

本實(shí)用新型公開了一種SIW平面濾波器，包括頂層金屬箔、介質(zhì)板和底部金屬箔，頂層金屬箔的左側(cè)邊設(shè)有左端口微帶引出線，右側(cè)邊設(shè)有右端口微帶引出線且左端口微帶引出線和右端口微帶引出線相對(duì)水平中心線發(fā)生偏移，頂層金屬箔的四周設(shè)置有若干個(gè)第一金屬過孔，頂層金屬箔中心左側(cè)設(shè)有左金屬過孔且右側(cè)設(shè)有右金屬過孔，頂層金屬箔的垂直中心線上設(shè)有多個(gè)中金屬過孔，頂層金屬箔的表面設(shè)有左間隙凹槽、右間隙凹槽、左上金屬過孔和右上金屬過孔，第一金屬過孔、左金屬過孔、右金屬過孔、中金屬過孔、左上金屬過孔以及右上金屬過孔均貫穿于介質(zhì)板和底部金屬箔。本實(shí)用新型體積小，重量輕，信號(hào)傳輸損耗小，插入損耗低，回波損耗高，提升了傳輸性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于無線通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種SIW平面濾波器。

背景技術(shù)

年來，在無線通信技術(shù)的高速發(fā)展下，涉及微波通信系統(tǒng)的項(xiàng)目越來越多，濾波器是現(xiàn)代微波中繼通信、微波衛(wèi)星通信、電子對(duì)抗等系統(tǒng)必不可少的組成部分，同時(shí)也是最為重要、技術(shù)含量最高的微波無源器件。隨著現(xiàn)代電子科技的發(fā)展，可利用的頻譜資源日益緊張，因此對(duì)濾波器頻率選擇特性的要求越來越高。為了提高濾波器的傳輸性能，要求濾波器具有低插入損耗和高回波損耗，更為重要的是，為了滿足現(xiàn)代通信終端的小型化趨勢(shì)，要求濾波器要有更小的體積與重量，有時(shí)濾波器大小甚至比性能更加重要。傳統(tǒng)濾波器的插入損耗比較大，回波損耗較小，導(dǎo)致傳輸性比較差，且傳統(tǒng)的矩形波導(dǎo)體積大，重量大。因此目前急需一種小型化與傳輸性能高的濾波器來解決上述技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種SIW平面濾波器，本SIW平面濾波器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小，重量輕，成本低，信號(hào)傳輸損耗小，插入損耗低，回波損耗高，提升了濾波器傳輸性能。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為：

一種SIW平面濾波器，包括頂層金屬箔、介質(zhì)板和底部金屬箔，所述頂層金屬箔、介質(zhì)板和底部金屬箔從上之下緊密貼合，所述頂層金屬箔的左側(cè)邊設(shè)有左端口微帶引出線，右側(cè)邊設(shè)有右端口微帶引出線且左端口微帶引出線和右端口微帶引出線相對(duì)頂層金屬箔的水平中心線發(fā)生偏移，頂層金屬箔的左側(cè)邊開設(shè)有第一槽線和第二槽線且左端口微帶引出線位于第一槽線和第二槽線中間，頂層金屬箔的右側(cè)邊開設(shè)有第三槽線和第四槽線且右端口微帶引出線位于第三槽線和第四槽線中間，所述頂層金屬箔的四周設(shè)置有若干個(gè)第一金屬過孔且第一金屬過孔位于左端口微帶引出線和右端口微帶引出線的上下兩側(cè)，所述頂層金屬箔中心的左側(cè)開設(shè)有左金屬過孔且中心的右側(cè)開設(shè)有右金屬過孔，所述左金屬過孔和右金屬過孔均位于頂層金屬箔的水平中心線上，所述頂層金屬箔的垂直中心線上的中部設(shè)有多個(gè)中金屬過孔，所述頂層金屬箔的表面開設(shè)有左間隙凹槽和右間隙凹槽，左間隙凹槽位于左金屬過孔和第一槽線之間，右間隙凹槽位于右金屬過孔和第三槽線之間，所述頂層金屬箔的表面開設(shè)有左上金屬過孔和右上金屬過孔，左上金屬過孔位于第一槽線的上方且位于左間隙凹槽的左側(cè)，右上金屬過孔位于第三槽線的上方且位于右間隙凹槽的右側(cè)，所述第一金屬過孔、左金屬過孔、右金屬過孔、中金屬過孔、左上金屬過孔以及右上金屬過孔均貫穿于頂層金屬箔、介質(zhì)板和底部金屬箔。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述左端口微帶引出線和右端口微帶引出線相對(duì)頂層金屬箔的垂直中心線對(duì)稱布置，所述左金屬過孔和右金屬過孔相對(duì)頂層金屬箔的垂直中心線對(duì)稱布置，所述左間隙凹槽和右間隙凹槽相對(duì)頂層金屬箔的垂直中心線對(duì)稱布置，所述左上金屬過孔和右上金屬過孔相對(duì)頂層金屬箔的垂直中心線對(duì)稱布置。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述第一槽線、第二槽線、第三槽線和第四槽線的結(jié)構(gòu)相同且均為L(zhǎng)型，所述第一槽線和第二槽線相對(duì)水平方向?qū)ΨQ布置，所述第三槽線和第四槽線相對(duì)水平方向?qū)ΨQ布置。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述左端口微帶引出線和右端口微帶引出線均連接有SMA接頭。

作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述左端口微帶引出線和右端口微帶引出線為50歐姆的SIW特性阻抗匹配微帶線。