[實(shí)用新型]一種SIW平面濾波器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821436866.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208539070U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張丹;宗楚菁;丁振東;徐晨月 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京林業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01P1/20 | 分類號(hào): | H01P1/20;H01P1/203 |
| 代理公司: | 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 王清義 |
| 地址: | 210037 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 頂層金屬 引出線 微帶 本實(shí)用新型 平面濾波器 間隙凹槽 介質(zhì)板 金屬箔 右端口 左端口 信號(hào)傳輸損耗 垂直中心線 水平中心線 插入損耗 傳輸性能 回波損耗 體積小 右側(cè)邊 重量輕 左側(cè)邊 偏移 貫穿 | ||
1.一種SIW平面濾波器,其特征在于:包括頂層金屬箔(1)、介質(zhì)板(2)和底部金屬箔(3),所述頂層金屬箔(1)、介質(zhì)板(2)和底部金屬箔(3)從上之下緊密貼合,所述頂層金屬箔(1)的左側(cè)邊設(shè)有左端口微帶引出線(4),右側(cè)邊設(shè)有右端口微帶引出線(5)且左端口微帶引出線(4)和右端口微帶引出線(5)相對(duì)頂層金屬箔(1)的水平中心線發(fā)生偏移,頂層金屬箔(1)的左側(cè)邊開(kāi)設(shè)有第一槽線(6)和第二槽線(7)且左端口微帶引出線(4)位于第一槽線(6)和第二槽線(7)中間,頂層金屬箔(1)的右側(cè)邊開(kāi)設(shè)有第三槽線(8)和第四槽線(9)且右端口微帶引出線(5)位于第三槽線(8)和第四槽線(9)中間,所述頂層金屬箔(1)的四周設(shè)置有若干個(gè)第一金屬過(guò)孔(10)且第一金屬過(guò)孔(10)位于左端口微帶引出線(4)和右端口微帶引出線(5)的上下兩側(cè),所述頂層金屬箔(1)中心的左側(cè)開(kāi)設(shè)有左金屬過(guò)孔(11)且中心的右側(cè)開(kāi)設(shè)有右金屬過(guò)孔(12),所述左金屬過(guò)孔(11)和右金屬過(guò)孔(12)均位于頂層金屬箔(1)的水平中心線上,所述頂層金屬箔(1)的垂直中心線上的中部設(shè)有多個(gè)中金屬過(guò)孔(13),所述頂層金屬箔(1)的表面開(kāi)設(shè)有左間隙凹槽(14)和右間隙凹槽(15),左間隙凹槽(14)位于左金屬過(guò)孔(11)和第一槽線(6)之間,右間隙凹槽(15)位于右金屬過(guò)孔(12)和第三槽線(8)之間,所述頂層金屬箔(1)的表面開(kāi)設(shè)有左上金屬過(guò)孔(16)和右上金屬過(guò)孔(17),左上金屬過(guò)孔(16)位于第一槽線(6)的上方且位于左間隙凹槽(14)的左側(cè),右上金屬過(guò)孔(17)位于第三槽線(8)的上方且位于右間隙凹槽(15)的右側(cè),所述第一金屬過(guò)孔(10)、左金屬過(guò)孔(11)、右金屬過(guò)孔(12)、中金屬過(guò)孔(13)、左上金屬過(guò)孔(16)以及右上金屬過(guò)孔(17)均貫穿于頂層金屬箔(1)、介質(zhì)板(2)和底部金屬箔(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIW平面濾波器,其特征在于:所述左端口微帶引出線(4)和右端口微帶引出線(5)相對(duì)頂層金屬箔(1)的垂直中心線對(duì)稱布置,所述左金屬過(guò)孔(11)和右金屬過(guò)孔(12)相對(duì)頂層金屬箔(1)的垂直中心線對(duì)稱布置,所述左間隙凹槽(14)和右間隙凹槽(15)相對(duì)頂層金屬箔(1)的垂直中心線對(duì)稱布置,所述左上金屬過(guò)孔(16)和右上金屬過(guò)孔(17)相對(duì)頂層金屬箔(1)的垂直中心線對(duì)稱布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIW平面濾波器,其特征在于:所述第一槽線(6)、第二槽線(7)、第三槽線(8)和第四槽線(9)的結(jié)構(gòu)相同且均為L(zhǎng)型,所述第一槽線(6)和第二槽線(7)相對(duì)水平方向?qū)ΨQ布置,所述第三槽線(8)和第四槽線(9)相對(duì)水平方向?qū)ΨQ布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SIW平面濾波器,其特征在于:所述左端口微帶引出線(4)和右端口微帶引出線(5)均連接有SMA接頭。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SIW平面濾波器,其特征在于:所述左端口微帶引出線(4)和右端口微帶引出線(5)為50歐姆的SIW特性阻抗匹配微帶線。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SIW平面濾波器,其特征在于:所述第一金屬過(guò)孔(10)、左金屬過(guò)孔(11)、右金屬過(guò)孔(12)、中金屬過(guò)孔(13)、左上金屬過(guò)孔(16)以及右上金屬過(guò)孔(17)均為圓形,且貫穿于頂層金屬箔(1)、介質(zhì)板(2)和底部金屬箔(3)的孔內(nèi)做金屬化處理并與頂層金屬箔(1)以及底部金屬箔(3)相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SIW平面濾波器,其特征在于:所述第一金屬過(guò)孔(10)的直徑為0.6mm,兩個(gè)相鄰的第一金屬過(guò)孔(10)之間的圓心距為1mm,內(nèi)部加載的左金屬過(guò)孔(11)、右金屬過(guò)孔(12)、中金屬過(guò)孔(13)、左上金屬過(guò)孔(16)以及右上金屬過(guò)孔(17)的直徑均為0.4mm,中金屬過(guò)孔(13)有3個(gè)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京林業(yè)大學(xué),未經(jīng)南京林業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821436866.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:射頻器件
- 下一篇:低頻段腔體濾波器寬帶端口與濾波器





