[實用新型]一種SIW平面濾波器

有效

• 申請號: 201821436866.7
• 申請日: 2018-09-03
• 公開（公告）號: CN208539070U
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 張丹;宗楚菁;丁振東;徐晨月
• 申請（專利權）人: 南京林業大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01P1/203
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 王清義

1.一種SIW平面濾波器，其特征在于：包括頂層金屬箔（1）、介質板（2）和底部金屬箔（3），所述頂層金屬箔（1）、介質板（2）和底部金屬箔（3）從上之下緊密貼合，所述頂層金屬箔（1）的左側邊設有左端口微帶引出線（4），右側邊設有右端口微帶引出線（5）且左端口微帶引出線（4）和右端口微帶引出線（5）相對頂層金屬箔（1）的水平中心線發生偏移，頂層金屬箔（1）的左側邊開設有第一槽線（6）和第二槽線（7）且左端口微帶引出線（4）位于第一槽線（6）和第二槽線（7）中間，頂層金屬箔（1）的右側邊開設有第三槽線（8）和第四槽線（9）且右端口微帶引出線（5）位于第三槽線（8）和第四槽線（9）中間，所述頂層金屬箔（1）的四周設置有若干個第一金屬過孔（10）且第一金屬過孔（10）位于左端口微帶引出線（4）和右端口微帶引出線（5）的上下兩側，所述頂層金屬箔（1）中心的左側開設有左金屬過孔（11）且中心的右側開設有右金屬過孔（12），所述左金屬過孔（11）和右金屬過孔（12）均位于頂層金屬箔（1）的水平中心線上，所述頂層金屬箔（1）的垂直中心線上的中部設有多個中金屬過孔（13），所述頂層金屬箔（1）的表面開設有左間隙凹槽（14）和右間隙凹槽（15），左間隙凹槽（14）位于左金屬過孔（11）和第一槽線（6）之間，右間隙凹槽（15）位于右金屬過孔（12）和第三槽線（8）之間，所述頂層金屬箔（1）的表面開設有左上金屬過孔（16）和右上金屬過孔（17），左上金屬過孔（16）位于第一槽線（6）的上方且位于左間隙凹槽（14）的左側，右上金屬過孔（17）位于第三槽線（8）的上方且位于右間隙凹槽（15）的右側，所述第一金屬過孔（10）、左金屬過孔（11）、右金屬過孔（12）、中金屬過孔（13）、左上金屬過孔（16）以及右上金屬過孔（17）均貫穿于頂層金屬箔（1）、介質板（2）和底部金屬箔（3）。

2.根據權利要求1所述的SIW平面濾波器，其特征在于：所述左端口微帶引出線（4）和右端口微帶引出線（5）相對頂層金屬箔（1）的垂直中心線對稱布置，所述左金屬過孔（11）和右金屬過孔（12）相對頂層金屬箔（1）的垂直中心線對稱布置，所述左間隙凹槽（14）和右間隙凹槽（15）相對頂層金屬箔（1）的垂直中心線對稱布置，所述左上金屬過孔（16）和右上金屬過孔（17）相對頂層金屬箔（1）的垂直中心線對稱布置。

3.根據權利要求1所述的SIW平面濾波器，其特征在于：所述第一槽線（6）、第二槽線（7）、第三槽線（8）和第四槽線（9）的結構相同且均為L型，所述第一槽線（6）和第二槽線（7）相對水平方向對稱布置，所述第三槽線（8）和第四槽線（9）相對水平方向對稱布置。

4.根據權利要求2所述的SIW平面濾波器，其特征在于：所述左端口微帶引出線（4）和右端口微帶引出線（5）均連接有SMA接頭。

5.根據權利要求4所述的SIW平面濾波器，其特征在于：所述左端口微帶引出線（4）和右端口微帶引出線（5）為50歐姆的SIW特性阻抗匹配微帶線。

6.根據權利要求2所述的SIW平面濾波器，其特征在于：所述第一金屬過孔（10）、左金屬過孔（11）、右金屬過孔（12）、中金屬過孔（13）、左上金屬過孔（16）以及右上金屬過孔（17）均為圓形，且貫穿于頂層金屬箔（1）、介質板（2）和底部金屬箔（3）的孔內做金屬化處理并與頂層金屬箔（1）以及底部金屬箔（3）相連接。

7.根據權利要求6所述的SIW平面濾波器，其特征在于：所述第一金屬過孔（10）的直徑為0.6mm，兩個相鄰的第一金屬過孔（10）之間的圓心距為1mm，內部加載的左金屬過孔（11）、右金屬過孔（12）、中金屬過孔（13）、左上金屬過孔（16）以及右上金屬過孔（17）的直徑均為0.4mm，中金屬過孔（13）有3個。