[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821435046.6
• 申請(qǐng)日: 2018-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN208753307U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇衛(wèi)國(guó);李宋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京必創(chuàng)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 孟旸;王麗琴

本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，主要包括一塑料封裝體，該塑料封裝體對(duì)半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器中的金屬連接線、半導(dǎo)體橋芯片焊盤、部分半導(dǎo)體橋芯片進(jìn)行了塑料包封，從而隔絕了外界環(huán)境，避免了運(yùn)輸和操作過(guò)程中對(duì)器件的機(jī)械損傷，提高了器件的環(huán)境適應(yīng)性和可靠性。同時(shí)，半導(dǎo)體橋橋區(qū)沒(méi)有被包封，充分露出了半導(dǎo)體橋橋區(qū)，有利于增大點(diǎn)火藥和半導(dǎo)體橋橋區(qū)的接觸面積，提供了盡可能大的加注點(diǎn)火藥的空間，有利于加注更多的點(diǎn)火藥，提高了發(fā)火的可靠性和發(fā)火的持續(xù)時(shí)間。半導(dǎo)體橋芯片固定于熱沉上，有效傳導(dǎo)了橋區(qū)熱量，降低了熱阻，提高了半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器的安全電流。本實(shí)用新型的封裝區(qū)域更有針對(duì)性，批量制造更方便，生產(chǎn)成本更低。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及火工品生產(chǎn)領(lǐng)域中的點(diǎn)火器，特別涉及一種半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體橋是新型點(diǎn)火元件，與傳統(tǒng)橋絲式點(diǎn)火元件相比，具有發(fā)火能量低、起爆時(shí)間短、體積小、阻值離散性小等優(yōu)點(diǎn)，在火工行業(yè)越來(lái)越得到廣泛應(yīng)用。

現(xiàn)有半導(dǎo)體橋采用IC(integrated circuit)，集成電路)工藝在硅片上面制作，由于硅是一種脆性材料，在運(yùn)輸和使用過(guò)程中極易崩邊、破碎，造成器件失效，在加注點(diǎn)火藥劑過(guò)程中，電極引線暴露在外，易受到物理?yè)p傷造成斷路。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，以解決現(xiàn)有半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器所存在的易損懷的問(wèn)題。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，包括：

引線框架、半導(dǎo)體橋芯片、金屬連接線、電極體和塑料封裝體；其中，

所述電極體內(nèi)嵌于所述引線框架中，并且所述電極體從所述引線框架的第一表面和所述引線框架的第二表面露出，其中，所述引線框架的第二表面與所述引線框架的第一表面相對(duì)；

所述半導(dǎo)體橋芯片位于所述引線框架的第二表面的一側(cè)，并且，所述半導(dǎo)體橋芯片包括半導(dǎo)體橋橋區(qū)和半導(dǎo)體橋芯片焊盤，所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)和所述半導(dǎo)體橋芯片焊盤電連接；

所述半導(dǎo)體橋芯片焊盤通過(guò)所述金屬連接線電連接于所述電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分；

所述塑料封裝體位于所述引線框架的第二表面的一側(cè)，其中，所述引線框架的第二表面、所述電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分、所述金屬連接線和所述半導(dǎo)體橋芯片焊盤被所述塑料封裝體包封，并且所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)未被所述塑料封裝體包封。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器還包括熱沉；

所述熱沉內(nèi)嵌于所述引線框架中，并且所述熱沉從所述引線框架的第一表面和所述引線框架的第二表面露出；

所述半導(dǎo)體橋芯片固定于所述熱沉從所述引線框架的第二表面所露出的部分；

所述熱沉從所述引線框架的第二表面所露出的部分被所述塑料封裝體包封。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器還包括固定介質(zhì)層；其中，

所述固定介質(zhì)層固定于所述熱沉和所述半導(dǎo)體橋芯片之間；并且，

所述固定介質(zhì)層被所述塑料封裝體包封。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器還包括固定介質(zhì)層；其中，

所述半導(dǎo)體橋芯片與所述熱沉直接接觸；

所述固定介質(zhì)層固定于所述熱沉從所述引線框架的第二表面所露出的部分，并且所述固定介質(zhì)層還固定于所述半導(dǎo)體橋芯片。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)和所述半導(dǎo)體橋芯片焊盤位于所述半導(dǎo)體橋芯片遠(yuǎn)離所述引線框架的表面。

進(jìn)一步，所述塑料封裝體遠(yuǎn)離所述引線框架的外表面包括第三表面和第四表面；其中，