[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821435046.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN208753307U | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蘇衛(wèi)國(guó);李宋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京必創(chuàng)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 孟旸;王麗琴 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體橋 點(diǎn)火器 橋區(qū) 點(diǎn)火藥 本實(shí)用新型 塑料封裝體 發(fā)火 加注 環(huán)境適應(yīng)性 金屬連接線 安全電流 操作過(guò)程 封裝區(qū)域 機(jī)械損傷 批量制造 塑料包封 外界環(huán)境 芯片固定 芯片焊盤 有效傳導(dǎo) 包封 熱沉 熱阻 生產(chǎn)成本 芯片 運(yùn)輸 | ||
1.一種半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于，包括：
引線框架、半導(dǎo)體橋芯片、金屬連接線、電極體和塑料封裝體；其中，
所述電極體內(nèi)嵌于所述引線框架中，并且所述電極體從所述引線框架的第一表面和所述引線框架的第二表面露出，其中，所述引線框架的第二表面與所述引線框架的第一表面相對(duì)；
所述半導(dǎo)體橋芯片位于所述引線框架的第二表面的一側(cè)，并且，所述半導(dǎo)體橋芯片包括半導(dǎo)體橋橋區(qū)和半導(dǎo)體橋芯片焊盤，所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)和所述半導(dǎo)體橋芯片焊盤電連接；
所述半導(dǎo)體橋芯片焊盤通過(guò)所述金屬連接線電連接于所述電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分；
所述塑料封裝體位于所述引線框架的第二表面的一側(cè)，其中，所述引線框架的第二表面、所述電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分、所述金屬連接線和所述半導(dǎo)體橋芯片焊盤被所述塑料封裝體包封，并且所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)未被所述塑料封裝體包封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于：
所述半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器還包括熱沉；
所述熱沉內(nèi)嵌于所述引線框架中，并且所述熱沉從所述引線框架的第一表面和所述引線框架的第二表面露出；
所述半導(dǎo)體橋芯片固定于所述熱沉從所述引線框架的第二表面所露出的部分；
所述熱沉從所述引線框架的第二表面所露出的部分被所述塑料封裝體包封。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于：
所述半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器還包括固定介質(zhì)層；其中，
所述固定介質(zhì)層固定于所述熱沉和所述半導(dǎo)體橋芯片之間；并且，
所述固定介質(zhì)層被所述塑料封裝體包封。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于：
所述半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器還包括固定介質(zhì)層；其中，
所述半導(dǎo)體橋芯片與所述熱沉直接接觸；
所述固定介質(zhì)層固定于所述熱沉從所述引線框架的第二表面所露出的部分，并且所述固定介質(zhì)層還固定于所述半導(dǎo)體橋芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于：
所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)和所述半導(dǎo)體橋芯片焊盤位于所述半導(dǎo)體橋芯片遠(yuǎn)離所述引線框架的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于：
所述塑料封裝體遠(yuǎn)離所述引線框架的外表面包括第三表面和第四表面；其中，
所述第三表面和第四表面之間呈臺(tái)階狀；并且
所述第三表面低于所述第四表面，所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)位于所述第三表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于：
所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)低于所述第四表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于：
所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)的表面與所述第三表面位于同一平面內(nèi)，或者所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)的表面高于所述第三表面，或者所述半導(dǎo)體橋橋區(qū)的表面低于所述第三表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于：
所述電極體包括第一電極體和第二電極體，所述金屬連接線包括第一金屬連接線和第二金屬連接線，所述半導(dǎo)體橋芯片焊盤包括第一半導(dǎo)體橋芯片焊盤和第二半導(dǎo)體橋芯片焊盤；其中，
所述第一電極體和所述第二電極體均內(nèi)嵌于所述引線框架中，并且所述第一電極體和所述第二電極體均從所述引線框架的第一表面和所述引線框架的第二表面露出；
所述第一半導(dǎo)體橋芯片焊盤通過(guò)所述第一金屬連接線電連接于所述第一電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分；
所述第二半導(dǎo)體橋芯片焊盤通過(guò)所述第二金屬連接線電連接于所述第二電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體橋點(diǎn)火器，其特征在于：
所述第一電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分、所述第二電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分、所述第一金屬連接線、所述第二金屬連接線、所述第一半導(dǎo)體橋芯片焊盤和所述第二半導(dǎo)體橋芯片焊盤均被所述塑料封裝體包封。
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