[實用新型]一種半導體橋點火器有效
| 申請號: | 201821435046.6 | 申請日: | 2018-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN208753307U | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發明(設計)人: | 蘇衛國;李宋 | 申請(專利權)人: | 北京必創科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 孟旸;王麗琴 |
| 地址: | 100085 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體橋 點火器 橋區 點火藥 本實用新型 塑料封裝體 發火 加注 環境適應性 金屬連接線 安全電流 操作過程 封裝區域 機械損傷 批量制造 塑料包封 外界環境 芯片固定 芯片焊盤 有效傳導 包封 熱沉 熱阻 生產成本 芯片 運輸 | ||
1.一種半導體橋點火器,其特征在于,包括:
引線框架、半導體橋芯片、金屬連接線、電極體和塑料封裝體;其中,
所述電極體內嵌于所述引線框架中,并且所述電極體從所述引線框架的第一表面和所述引線框架的第二表面露出,其中,所述引線框架的第二表面與所述引線框架的第一表面相對;
所述半導體橋芯片位于所述引線框架的第二表面的一側,并且,所述半導體橋芯片包括半導體橋橋區和半導體橋芯片焊盤,所述半導體橋橋區和所述半導體橋芯片焊盤電連接;
所述半導體橋芯片焊盤通過所述金屬連接線電連接于所述電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分;
所述塑料封裝體位于所述引線框架的第二表面的一側,其中,所述引線框架的第二表面、所述電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分、所述金屬連接線和所述半導體橋芯片焊盤被所述塑料封裝體包封,并且所述半導體橋橋區未被所述塑料封裝體包封。
2.根據權利要求1所述的半導體橋點火器,其特征在于:
所述半導體橋點火器還包括熱沉;
所述熱沉內嵌于所述引線框架中,并且所述熱沉從所述引線框架的第一表面和所述引線框架的第二表面露出;
所述半導體橋芯片固定于所述熱沉從所述引線框架的第二表面所露出的部分;
所述熱沉從所述引線框架的第二表面所露出的部分被所述塑料封裝體包封。
3.根據權利要求2所述的半導體橋點火器,其特征在于:
所述半導體橋點火器還包括固定介質層;其中,
所述固定介質層固定于所述熱沉和所述半導體橋芯片之間;并且,
所述固定介質層被所述塑料封裝體包封。
4.根據權利要求2所述的半導體橋點火器,其特征在于:
所述半導體橋點火器還包括固定介質層;其中,
所述半導體橋芯片與所述熱沉直接接觸;
所述固定介質層固定于所述熱沉從所述引線框架的第二表面所露出的部分,并且所述固定介質層還固定于所述半導體橋芯片。
5.根據權利要求1所述的半導體橋點火器,其特征在于:
所述半導體橋橋區和所述半導體橋芯片焊盤位于所述半導體橋芯片遠離所述引線框架的表面。
6.根據權利要求1所述的半導體橋點火器,其特征在于:
所述塑料封裝體遠離所述引線框架的外表面包括第三表面和第四表面;其中,
所述第三表面和第四表面之間呈臺階狀;并且
所述第三表面低于所述第四表面,所述半導體橋橋區位于所述第三表面。
7.根據權利要求6所述的半導體橋點火器,其特征在于:
所述半導體橋橋區低于所述第四表面。
8.根據權利要求7所述的半導體橋點火器,其特征在于:
所述半導體橋橋區的表面與所述第三表面位于同一平面內,或者所述半導體橋橋區的表面高于所述第三表面,或者所述半導體橋橋區的表面低于所述第三表面。
9.根據權利要求1至8任一項所述的半導體橋點火器,其特征在于:
所述電極體包括第一電極體和第二電極體,所述金屬連接線包括第一金屬連接線和第二金屬連接線,所述半導體橋芯片焊盤包括第一半導體橋芯片焊盤和第二半導體橋芯片焊盤;其中,
所述第一電極體和所述第二電極體均內嵌于所述引線框架中,并且所述第一電極體和所述第二電極體均從所述引線框架的第一表面和所述引線框架的第二表面露出;
所述第一半導體橋芯片焊盤通過所述第一金屬連接線電連接于所述第一電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分;
所述第二半導體橋芯片焊盤通過所述第二金屬連接線電連接于所述第二電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分。
10.根據權利要求9所述的半導體橋點火器,其特征在于:
所述第一電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分、所述第二電極體在所述引線框架的第二表面所露出的部分、所述第一金屬連接線、所述第二金屬連接線、所述第一半導體橋芯片焊盤和所述第二半導體橋芯片焊盤均被所述塑料封裝體包封。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京必創科技股份有限公司,未經北京必創科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821435046.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種新型大功率IGBT模塊
- 下一篇:一種集成電路封裝散熱結構





