[實用新型]一種SP超結MOS結構

有效

• 申請號: 201821429883.8
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN208674110U
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 萬立宏;范捷;王紹榮
• 申請（專利權）人: 江蘇麗雋功率半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228
• 代理人: 聶啟新

1.一種SP超結MOS結構，其特征在于，包括襯底、外延層、氧化層、多晶硅、絕緣介質層和金屬層；

所述外延層在所述襯底之上；

所述襯底上設置有深槽和P型半導體區，所述深槽內填充有摻硼多晶硅，所述摻硼多晶硅與所述外延層之間有一層絕緣介質層，所述P型半導體區設置有N型半導體區；

所述外延層之上為所述氧化層，所述氧化層之上為所述絕緣介質層，所述氧化層中有所述多晶硅，電極接觸孔貫穿所述氧化層和所述氧化層之上的所述絕緣介質層；

所述金屬層覆蓋所述電極接觸孔和所述絕緣介質層。

2.根據權利要求1所述的SP超結MOS結構，其特征在于，深槽的深度大于所述P型半導體區的深度，所述P型半導體區的深度大于所述N型半導體區的深度。

3.根據權利要求1所述的SP超結MOS結構，其特征在于，所述深槽在所述P型半導體區之間。

4.根據權利要求1所述的SP超結MOS結構，其特征在于，所述P型半導體區的上表面局部區域與所述氧化層的下表面接觸，所述N型半導體區的上表面局域區域與所述氧化層的下表面接觸。