[實用新型]位線結構及存儲器

有效

• 申請號: 201821428389.X
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN208655645U
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 祝嘯
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本實用新型提供了一種位線結構及存儲器，所述位線結構包括基底，位于基底上的多條位線，多條位線間隔排列，以及隔離材料層、多孔絕緣材料層與空氣隙，隔離材料層位于基底和位線上，隔離材料層覆蓋位線的頂部和側壁，多孔絕緣材料層位于隔離材料層上，多孔絕緣材料層覆蓋隔離材料層，且多孔絕緣材料層中具有多個孔隙，空氣隙位于位線兩側并在隔離材料層和多孔絕緣材料層之間，且空氣隙與多孔絕緣材料層中的多個孔隙連通，所述空氣隙能夠減小位線之間的寄生電容，提升器件的性能。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別涉及一種位線結構及存儲器。

背景技術

存儲器通常包括存儲電容器以及連接到所述存儲電容器的存儲晶體管，所述存儲電容器用來存儲代表存儲信息的電荷。所述存儲晶體管中形成有源區、漏區和柵極，所述柵極用于控制所述源區和漏區之間的電流流動，并連接至字線，所述源區用于構成位線接觸區，以連接至位線，所述漏區用于構成存儲節點接觸區，以連接至存儲電容器。

隨著半導體制作工藝中集成度的不斷增加，提升存儲器的集成密度已成為一種趨勢，而位線的集成密度也隨之增加。然而，在位線之間的間距變得越來越小的情況下，位線之間的寄生電容對器件性能的影響越來越大。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種位線結構及存儲器，減小位線之間的寄生電容，提升器件的性能。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種位線結構，包括：

基底，位于所述基底上的多條位線，多條所述位線間隔排列；

隔離材料層，位于所述基底和所述位線上，所述隔離材料層覆蓋所述位線的頂部和側壁；

多孔絕緣材料層，位于所述隔離材料層上，所述多孔絕緣材料層覆蓋所述隔離材料層，且所述多孔絕緣材料層中具有多個孔隙；

空氣隙，位于所述位線兩側并在所述隔離材料層和所述多孔絕緣材料層之間，且所述空氣隙與所述多孔絕緣材料層中的多個孔隙連通。

可選的，還包括位線隔離層，所述位線隔離層覆蓋所述多孔絕緣材料層并填充相鄰所述位線之間的間隙。

可選的，所述隔離材料層的材質包含氮化硅或氮氧化硅或二氧化硅，所述多孔絕緣材料層的材質包含介孔二氧化硅，所述位線隔離層的材質包含二氧化硅。

可選的，所述位線包含依次位于所述基底上的第一導電材料層、第二導電材料層與保護材料層，所述第一導電材料層的材質包含摻雜多晶硅，所述第二導電材料層的材質包含鈦或氮化鈦或鎢，所述保護材料層的材質包含氮化硅或氮氧化硅或二氧化硅。

可選的，所述隔離材料層具有在所述位線上的第一部位以及在所述基底上的第二部位，所述多孔絕緣材料層覆蓋所述隔離材料層的所述第一部位和所述第二部位，以包覆所述空氣隙。

本實用新型還提供一種存儲器，包括：

基底，位于所述基底上的多條位線，多條所述位線間隔排列；

隔離材料層，位于所述基底和所述位線上，所述隔離材料層覆蓋所述位線的頂部和側壁；

多孔絕緣材料層，位于所述隔離材料層上，所述多孔絕緣材料層覆蓋所述隔離材料層，且所述多孔絕緣材料層中具有多個孔隙；

空氣隙，位于所述位線兩側并在所述隔離材料層和所述多孔絕緣材料層之間，且所述空氣隙與所述多孔絕緣材料層中的多個孔隙連通。