[實(shí)用新型]位線結(jié)構(gòu)及存儲(chǔ)器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821428389.X | 申請日: | 2018-08-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208655645U | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 祝嘯 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/108 | 分類號(hào): | H01L27/108 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多孔絕緣材料 位線 隔離材料層 空氣隙 位線結(jié)構(gòu) 基底 存儲(chǔ)器 本實(shí)用新型 覆蓋隔離 寄生電容 間隔排列 孔隙連通 提升器件 材料層 側(cè)壁 減小 覆蓋 | ||
1.一種位線結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
基底,位于所述基底上的多條位線,多條所述位線間隔排列;
隔離材料層,位于所述基底和所述位線上,所述隔離材料層覆蓋所述位線的頂部和側(cè)壁;
多孔絕緣材料層,位于所述隔離材料層上,所述多孔絕緣材料層覆蓋所述隔離材料層,且所述多孔絕緣材料層中具有多個(gè)孔隙;
空氣隙,位于所述位線兩側(cè)并在所述隔離材料層和所述多孔絕緣材料層之間,且所述空氣隙與所述多孔絕緣材料層中的多個(gè)孔隙連通。
2.如權(quán)利要求1所述的位線結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括位線隔離層,所述位線隔離層覆蓋所述多孔絕緣材料層并填充相鄰所述位線之間的間隙。
3.如權(quán)利要求2所述的位線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述隔離材料層的材質(zhì)包含氮化硅或氮氧化硅或二氧化硅,所述多孔絕緣材料層的材質(zhì)包含介孔二氧化硅,所述位線隔離層的材質(zhì)包含二氧化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的位線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述位線包含依次位于所述基底上的第一導(dǎo)電材料層、第二導(dǎo)電材料層與保護(hù)材料層,所述第一導(dǎo)電材料層的材質(zhì)包含摻雜多晶硅,所述第二導(dǎo)電材料層的材質(zhì)包含鈦或氮化鈦或鎢,所述保護(hù)材料層的材質(zhì)包含氮化硅或氮氧化硅或二氧化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的位線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述隔離材料層具有在所述位線上的第一部位以及在所述基底上的第二部位,所述多孔絕緣材料層覆蓋所述隔離材料層的所述第一部位和所述第二部位,以及包覆所述空氣隙。
6.一種存儲(chǔ)器,其特征在于,包括:
基底,位于所述基底上的多條位線,多條所述位線間隔排列;
隔離材料層,位于所述基底和所述位線上,所述隔離材料層覆蓋所述位線的頂部和側(cè)壁;
多孔絕緣材料層,位于所述隔離材料層上,所述多孔絕緣材料層覆蓋所述隔離材料層,且所述多孔絕緣材料層中具有多個(gè)孔隙;
空氣隙,位于所述位線兩側(cè)并在所述隔離材料層和所述多孔絕緣材料層之間,所述空氣隙與所述多孔絕緣材料層中的多個(gè)孔隙連通。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





