[實用新型]一種側面發(fā)光的LED芯片及顯示裝置

有效

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• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN208622762U
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設計）人: 梁麗麗;李澤龍
• 申請（專利權）人: 深圳TCL新技術有限公司
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本實用新型公開了一種側面發(fā)光的LED芯片及顯示裝置，包括：襯底；設置在所述襯底上的緩沖層；設置在所述緩沖層上，且呈水平排列的P?N結；所述水平排列的P?N結中設置有發(fā)光層；所述P?N結上設置有電流擴散層；所述電流擴散層上設置有若干個凸點。本實用新型的LED芯片將傳統(tǒng)的呈垂直分布的P?N結改為水平分布的P?N結，使LED芯片可以從側面發(fā)光，從而實現(xiàn)超大光強角，獲得超大近場光斑。

技術領域

本實用新型涉及LED芯片技術領域，具體涉及一種側面發(fā)光的LED芯片及顯示裝置。

背景技術

LED芯片是一種固態(tài)的半導體器件，LED芯片的心臟是一個半導體晶片，也就是指的P-N結。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，另一端是N型半導體，當這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個P-N結。

但是現(xiàn)有的LED芯片P-N結為垂直結構，如圖1所示，發(fā)光面朝上且呈近朗伯分布。當LED芯片搭配透鏡后，光強雖呈蝙蝠翼形分布，實際光斑直徑較小（一般小于200mm），不能實現(xiàn)近距離超大光斑，發(fā)光效果不理想。

因此，現(xiàn)有技術還有待于改進和發(fā)展。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題在于，針對現(xiàn)有技術的上述缺陷，提供一種側面發(fā)光的LED芯片及顯示裝置，旨在解決現(xiàn)有技術中的LED芯片中的P-N結呈垂直分布、發(fā)光面朝上，導致光斑直徑小，無法實現(xiàn)近距離超大光斑等問題。

本實用新型解決技術問題所采用的技術方案如下：

一種側面發(fā)光的LED芯片，其中，所述LED芯片包括：襯底；設置在所述襯底上的緩沖層；設置在所述緩沖層上，且呈水平排列的P-N結；所述水平排列的P-N結中設置有發(fā)光層；所述P-N結上設置有電流擴散層；所述電流擴散層上設置有若干個凸點。

所述的側面發(fā)光的LED芯片，其中，所述P-N結包括：由P型層與N型層組成的核殼結構或者多量子阱結構。

所述的側面發(fā)光的LED芯片，其中，所述P型層與N型層之間形成P-N結結區(qū)。

所述的側面發(fā)光的LED芯片，其中，所述P型層與N型層之間的P-N結結區(qū)設置有發(fā)光層。

所述的側面發(fā)光的LED芯片，其中，所述電流擴散層沿著P型層與N型層的上表面進行設置，并對所述P型層與N型層進行覆蓋。

所述的側面發(fā)光的LED芯片，其中，所述凸點包括：P凸點以及N凸點，所述P凸點設置在P型層的電流擴散層上；所述N凸點設置在N型層的電流擴散層上。

所述的側面發(fā)光的LED芯片，其中，所述電流擴散層上還設置有用于將正上方的出光進行反射的反射鏡層。

所述的側面發(fā)光的LED芯片，其中，所述LED芯片為倒裝焊芯片結構。

所述的側面發(fā)光的LED芯片，其中，所述LED芯片為采用側面出光封裝LED芯片，或者采用CSP方式進行封裝的LED芯片。

一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括上述的側面發(fā)光的LED芯片。

本實用新型的有益效果：本實用新型的LED芯片將傳統(tǒng)的呈垂直分布的P-N結改為水平分布的P-N結，使LED芯片可以從側面發(fā)光，從而實現(xiàn)超大光強角，獲得超大近場光斑。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術中P-N結呈垂直分布的LED芯片的結構示意圖。

圖2是本實用新型側面發(fā)光的LED芯片第一較佳實施例的側視圖。

圖3是本實用新型側面發(fā)光的LED芯片第一較佳實施例的俯視圖。

圖4是本實用新型側面發(fā)光的LED芯片第二較佳實施例的側視圖。