[實用新型]一種側面發光的LED芯片及顯示裝置有效
| 申請號： | 201821422182.1 | 申請日： | 2018-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN208622762U | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發明（設計）人： | 梁麗麗;李澤龍 | 申請（專利權）人： | 深圳TCL新技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/24 | 分類號： | H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 側面發光 本實用新型 電流擴散層 水平排列 顯示裝置 緩沖層 襯底 光斑 垂直分布 水平分布 傳統的 發光層 光強 近場 凸點 | ||
1.一種側面發光的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：襯底；設置在所述襯底上的緩沖層；設置在所述緩沖層上，且呈水平排列的P-N結；所述水平排列的P-N結中設置有發光層；所述P-N結上設置有電流擴散層；所述電流擴散層上設置有若干個凸點。
2.根據權利要求1所述的側面發光的LED芯片，其特征在于，所述P-N結包括：
由P型層與N型層組成的核殼結構或者多量子阱結構。
3.根據權利要求2所述的側面發光的LED芯片，其特征在于，所述P型層與N型層之間形成P-N結結區。
4.根據權利要求3所述的側面發光的LED芯片，其特征在于，所述P型層與N型層之間的P-N結結區設置有發光層。
5.根據權利要求1所述的側面發光的LED芯片，其特征在于，所述電流擴散層沿著P型層與N型層的上表面進行設置，并對所述P型層與N型層進行覆蓋。
6.根據權利要求1所述的側面發光的LED芯片，其特征在于，所述凸點包括：P凸點以及N凸點，所述P凸點設置在P型層的電流擴散層上；所述N凸點設置在N型層的電流擴散層上。
7.根據權利要求1所述的側面發光的LED芯片，其特征在于，所述電流擴散層上還設置有用于將正上方的出光進行反射的反射鏡層。
8.根據權利要求1所述的側面發光的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片為倒裝焊芯片結構。
9.根據權利要求1所述的側面發光的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片為采用側面出光封裝LED芯片，或者采用CSP方式進行封裝的LED芯片。
10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括上述權利要求1-9所述的側面發光的LED芯片。
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