[實用新型]一種控制去膠區域的裝置有效
| 申請號: | 201821421396.7 | 申請日: | 2018-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN208819841U | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發明(設計)人: | 吳繼清;黎浩;許海明 | 申請(專利權)人: | 湖北光安倫科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人: | 張濤 |
| 地址: | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 去膠 蓋子 底座 本實用新型 等離子去膠 外延片 半導體技術領域 區域選擇性 扇形孔 圓形槽 開孔 | ||
本實用新型屬于半導體技術領域,具體涉及一種控制去膠區域的裝置,包括底座和蓋子,所述蓋子蓋在所述底座上,所述底座上設有用于放置外延片的圓形槽;所述蓋子上設有用于控制實現外延片局部去膠的開孔。本實用新型提供的控制去膠區域的裝置通過控制蓋子上的扇形孔的大小來控制等離子去膠機對待去膠樣品進行部分區域去膠,解決了現有等離子去膠機中去膠無區域選擇性問題。
技術領域
本實用新型屬于半導體技術領域,具體涉及一種控制去膠區域的裝置。
背景技術
等離子去膠就是在高真空的石英管中通入一定的氧氣,氧氣在高頻電磁場中發生電離形成氧離子、氧分子、氧原子、電子等的混合物,這些混合物在頻電磁場作用下與光刻膠發生物理及化學反應使光刻膠被分解為CO、CO2、H2O等各種氣體達到去膠的目的。
衡量等離子去膠機能力的指標主要有射頻電源的頻率、功率等,射頻電源的頻率越高越容易使氧氣電離形成等離子體,但頻率太高又會使電子振幅比其平均自由程還短,減少則電子與氣體分子磕碰概率,反而不容易形成等離子體,常用頻率為13.56MHz及2.45GHZ。功率越大等離子的濃度和和初動能就越大,通常氧氣被電離為等離子體后是充滿整個石英管的,通過調節射頻電源的頻率,功率等均不能對等離子體的區域性濃度調節來實現待去膠樣品的區域性去膠。
在實際生產過程中我們通常需要對待去膠樣品不同區域去掉不同厚度的膠,即區域性去膠,但等離子去膠機無法進行區域性去膠,也就是待去膠樣品分為4個區域,記為區域1、區域2、區域3、區域4,等離子去膠機無法做到只對區域1進行去膠而不對區域2、區域3、區域4進行去膠。
發明內容
為了克服上述現有技術存在的不足,本實用新型的目的是提供一種控制去膠區域的裝置 ,能夠實現等離子體去膠機的區域性去膠。
為實現上述目的,本實用新型的技術方案為一種控制去膠區域的裝置,包括底座和蓋子,所述蓋子蓋在所述底座上,所述底座上設有用于放置外延片的圓形槽;所述蓋子上設有用于控制實現外延片局部去膠的開孔。
進一步地,所述開孔為扇形孔,所述扇形孔的圓心與所述圓形槽的圓心在同一豎直線上,所述扇形孔的圓弧形邊所在圓的半徑不小于所述圓形槽的半徑。
進一步地,所述底座上還設置有便于取放外延片的凹槽,所述凹槽部分延伸至所述圓形槽中。
更進一步地,所述凹槽的深度大于所述圓形槽的深度。
作為實施例之一,所述扇形孔的圓心角為90°。
作為實施例之一,所述扇形孔的圓心角為180°。
作為實施例之一,所述扇形孔的圓心角為270°。
進一步地,所述圓形槽的一側設成直面,用于作為外延片的放入方向的對準參考。
進一步地,所述底座的邊緣設有臺階,所述蓋子的下邊緣蓋在所述臺階上。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果:
(1)本實用新型提供的控制去膠區域的裝置通過在蓋子上設置開孔,然后通過控制開孔的大小來控制等離子去膠機對待去膠樣品進行部分區域去膠,解決了現有等離子去膠機無法實現區域性去膠的問題;
(2)本實用新型的蓋子上的開孔為扇形孔,扇形孔的圓心與底座上圓形槽的圓心在同一豎直線上,且扇形孔的圓弧形邊所在圓的半徑不小于圓形槽的半徑,可以通過蓋子上扇形孔的圓心角的大小來精確控制去膠區域的大小;
(3)本實用新型可通過預制常用的幾種帶有與待去膠區域大小相同的開孔的蓋子,在使用過程中根據需要,將對應的蓋子蓋在底座上,即可實現所需區域的去膠,操作簡單、方便。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





