[實用新型]一種封閉式鍍膜系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821420783.9 | 申請日: | 2018-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN208917305U | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發(fā)明(設計)人: | 朱廣東;上官泉元;喻大偉;趙慧超;莊正軍;侯岳明 | 申請(專利權(quán))人: | 常州比太科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/24 | 分類號: | C23C16/24;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京集智東方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11578 | 代理人: | 張紅;程立民 |
| 地址: | 213164 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 緩沖腔 緩存 鍍膜腔 加熱腔 本實用新型 鍍膜系統(tǒng) 背表面 卸載腔 正表面 系統(tǒng)通用性 硅片表面 硅片翻轉(zhuǎn) 外界環(huán)境 循環(huán)設置 移載機構(gòu) 上料端 下料端 硅片 產(chǎn)能 卡點 印痕 載板 污染 | ||
本實用新型公開了一種封閉式鍍膜系統(tǒng),包括依次線性循環(huán)設置的上料端、緩存臺、加熱腔、正表面鍍膜腔一、加熱腔、緩沖腔、正表面鍍膜腔二、緩沖腔、卸載腔、緩存臺、載板移載機構(gòu)、硅片翻轉(zhuǎn)機構(gòu)、緩存臺、加熱腔、緩沖腔、背表面鍍膜腔一、緩沖腔、加熱腔、緩沖腔、背表面鍍膜腔二、緩沖腔、卸載腔、緩存臺及下料端。本實用新型具有產(chǎn)能高、成本投入低、硅片無卡點印痕、外界環(huán)境對硅片表面的污染少及系統(tǒng)通用性高等優(yōu)點。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及太陽能電池硅片制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于硅片的封閉式鍍膜系統(tǒng)。
背景技術(shù)
近些年來環(huán)保要求越來越高,化石能源的污染問題越來越受到重視,而且由于化石能源的不可再生性,尋求新的能源形式迫在眉睫。在眾多新型能源中,光伏發(fā)電技術(shù)脫穎而出。在光伏發(fā)電技術(shù)中硅片是核心元件,而生產(chǎn)太陽能硅片的工序繁多,包括從其前期的硅材料提純、鑄錠、開方、切片,到后期的制絨、擴散、清洗、PECVD鍍膜、印刷、燒結(jié)等工序,也就是說,在硅錠被切成硅片后,其還要經(jīng)過很多工序處理才能使其成為有著發(fā)電功能的電池片。
由于硅片的表面處理需要經(jīng)過多道鍍膜工序以及中間流轉(zhuǎn)過程,現(xiàn)有技術(shù)多道鍍膜工序之間通常單獨進行,多道鍍膜工序之間通過獨立的設備進行流轉(zhuǎn)及卸載、上料,由于各道工序相對獨立運行,其具有如下不足:
①多道工序相對獨立運行,硅片的周轉(zhuǎn)工序繁瑣且自動化程度低;
②硅片在各道工序之間周轉(zhuǎn)時,由于體系難以密封而導致硅片容易受到環(huán)境污染而導致品控困難;
③不同的鍍膜產(chǎn)品需要開發(fā)專門的鍍膜設備,成本投入較高。
實用新型內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本實用新型提供了一種封閉式鍍膜系統(tǒng),包括:
設置在封閉室內(nèi)且相互平行的正表面鍍膜線體及背表面鍍膜線體,所述正表面鍍膜線體與背表面鍍膜線體的兩端分別為上下料線體及周轉(zhuǎn)線體;
所述上下料線體包括由輸送線連接的上料端及下料端,所述上料端對應所述正表面鍍膜線體的進料口,所述下料端對應所述背表面鍍膜線體的出料口;
所述周轉(zhuǎn)線體包括由輸送線連接的載板移載機構(gòu)及硅片翻轉(zhuǎn)機構(gòu),所述載板移載機構(gòu)對應所述正表面鍍膜線體的出料口,所述硅片翻轉(zhuǎn)機構(gòu)對應所述背表面鍍膜線體的進料口;
所述正表面鍍膜線體包括沿輸送線依次設置的正表面鍍膜腔一、正表面隔離腔、正表面鍍膜腔二及正表面卸載腔,所述上料端對應所述正表面鍍膜腔一,所述載板移載機構(gòu)對應所述正表面卸載腔;
所述背表面鍍膜線體包括沿輸送線依次設置的背表面鍍膜腔一、背表面隔離腔、背表面鍍膜腔二及背表面卸載腔,所述硅片翻轉(zhuǎn)機構(gòu)對應所述背表面鍍膜腔一,所述下料端對應所述背表面卸載腔。
進一步的,所述正表面鍍膜線體還包括設置在所述正表面鍍膜腔一前端輸送線上的緩存臺及加熱腔,所述上料端的出料口對應所述正表面鍍膜腔一前端緩存臺的進料口。再進一步的,所述正表面隔離腔包括依次設置在所述正表面鍍膜腔一與正表面鍍膜腔二之間輸送線上的加熱腔及緩沖腔。再進一步的,所述正表面卸載腔前端的輸送線上還設置有緩沖腔,所述正表面卸載腔后端的輸送線上還設置有緩存臺,所述正表面卸載腔后端緩存臺的出料口對應所述載板移載機構(gòu)的進料口。
進一步的,所述背表面鍍膜線體還包括設置在所述背表面鍍膜腔一前端輸送線上的緩存臺、加熱腔及緩沖腔,所述硅片翻轉(zhuǎn)機構(gòu)的出料口對應所述背表面鍍膜腔一前端緩存臺的進料口。再進一步的,所述背表面隔離腔包括依次設置在所述背表面鍍膜腔一與背表面鍍膜腔二之間輸送線上的緩沖腔、加熱腔及緩沖腔。再進一步的,所述背表面卸載腔前端的輸送線上還設置有緩沖腔,所述背表面卸載腔后端的輸送線上還設置有緩存臺,所述背表面卸載腔后端緩存臺的出料口對應所述下料端的進料口。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





