[實用新型]一種封閉式鍍膜系統有效
| 申請號: | 201821420783.9 | 申請日: | 2018-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN208917305U | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 朱廣東;上官泉元;喻大偉;趙慧超;莊正軍;侯岳明 | 申請(專利權)人: | 常州比太科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/24 | 分類號: | C23C16/24;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京集智東方知識產權代理有限公司 11578 | 代理人: | 張紅;程立民 |
| 地址: | 213164 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 緩沖腔 緩存 鍍膜腔 加熱腔 本實用新型 鍍膜系統 背表面 卸載腔 正表面 系統通用性 硅片表面 硅片翻轉 外界環境 循環設置 移載機構 上料端 下料端 硅片 產能 卡點 印痕 載板 污染 | ||
1.一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,包括:
設置在封閉室內且相互平行的正表面鍍膜線體及背表面鍍膜線體,所述正表面鍍膜線體與背表面鍍膜線體的兩端分別為上下料線體及周轉線體;
所述上下料線體包括由輸送線連接的上料端及下料端,所述上料端對應所述正表面鍍膜線體的進料口,所述下料端對應所述背表面鍍膜線體的出料口;
所述周轉線體包括由輸送線連接的載板移載機構及硅片翻轉機構,所述載板移載機構對應所述正表面鍍膜線體的出料口,所述硅片翻轉機構對應所述背表面鍍膜線體的進料口;
所述正表面鍍膜線體包括沿輸送線依次設置的正表面鍍膜腔一、正表面隔離腔、正表面鍍膜腔二及正表面卸載腔,所述上料端對應所述正表面鍍膜腔一,所述載板移載機構對應所述正表面卸載腔;
所述背表面鍍膜線體包括沿輸送線依次設置的背表面鍍膜腔一、背表面隔離腔、背表面鍍膜腔二及背表面卸載腔,所述硅片翻轉機構對應所述背表面鍍膜腔一,所述下料端對應所述背表面卸載腔。
2.根據權利要求1所述的一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,所述正表面鍍膜線體還包括設置在所述正表面鍍膜腔一前端輸送線上的緩存臺及加熱腔,所述上料端的出料口對應所述正表面鍍膜腔一前端緩存臺的進料口。
3.根據權利要求2所述的一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,所述正表面隔離腔包括依次設置在所述正表面鍍膜腔一與正表面鍍膜腔二之間輸送線上的加熱腔及緩沖腔。
4.根據權利要求3所述的一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,所述正表面卸載腔前端的輸送線上還設置有緩沖腔,所述正表面卸載腔后端的輸送線上還設置有緩存臺,所述正表面卸載腔后端緩存臺的出料口對應所述載板移載機構的進料口。
5.根據權利要求1所述的一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,所述背表面鍍膜線體還包括設置在所述背表面鍍膜腔一前端輸送線上的緩存臺、加熱腔及緩沖腔,所述硅片翻轉機構的出料口對應所述背表面鍍膜腔一前端緩存臺的進料口。
6.根據權利要求5所述的一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,所述背表面隔離腔包括依次設置在所述背表面鍍膜腔一與背表面鍍膜腔二之間輸送線上的緩沖腔、加熱腔及緩沖腔。
7.根據權利要求6所述的一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,所述背表面卸載腔前端的輸送線上還設置有緩沖腔,所述背表面卸載腔后端的輸送線上還設置有緩存臺,所述背表面卸載腔后端緩存臺的出料口對應所述下料端的進料口。
8.根據權利要求1-7任一項所述的一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,所述正表面鍍膜腔一、正表面鍍膜腔二、背表面鍍膜腔一及背表面鍍膜腔二均包括:至少一個設置在腔體上并與載板平行設置且具有進氣出氣口的離子源、設置在所述離子源兩側的具有進氣出氣口的分氣塊,以及設置在所述離子源兩側并位于所述分氣塊內側的陶瓷板以用于隔離所述離子源與分氣塊;所述分氣塊的出氣口對應所述陶瓷板設置并與所述陶瓷板之間具有間隙,通過所述陶瓷板的阻擋作用將沉積氣體通過所述間隙垂直引導至所述載板,所述間隙的出氣口至載板的間距小于所述離子源的出氣口至載板的間距。
9.根據權利要求8所述的一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,所述離子源的兩側還設置有磁鐵,以通過磁場進一步強化離子源產生的等離子體。
10.根據權利要求8所述的一種封閉式鍍膜系統,其特征在于,所述腔體及離子源均設置有冷卻水道,以用于腔體及離子源的冷卻降溫。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州比太科技有限公司,未經常州比太科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821420783.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





