[實用新型]一種半導體存儲器高低溫老化測試箱

有效

• 申請號: 201821419691.9
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN208737883U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 陳凱;張慶勛;鄧標華;周璇
• 申請（專利權）人: 武漢精鴻電子技術有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 武漢東喻專利代理事務所(普通合伙) 42224
• 代理人: 趙偉

1.一種半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，設置有一組或多組由第一溫度區、第二溫度區和設置在第一溫度區與第二溫度區之間的隔離區構成的測試區；

所述第一溫度區的溫度為恒定值，或設置成跟蹤第二溫度區溫度的溫度范圍；

所述測試區用于放置半導體存儲器老化測試設備；其中，第一溫度區用于放置第一背板，以及在第一背板上可拔插的測試核心板；第二溫度區用于放置第二背板，以及在第二背板上可拔插的測試板；

所述隔離區設置有直通板，通過直通板將位于第一溫度區的測試核心板發送的測試信號和電源信號傳輸到位于第二溫度區的測試板；隔離區側面設置有對直通板散熱的散熱器。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，設置有常溫區，所述常溫區用于放置上位機、交換機；所述常溫區內設置有為上位機、交換機散熱的散熱裝置。

3.如權利要求1或2所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，所述第一背板具有多個測試核心板槽位，第二背板具有多個測試板槽位；

每個由測試核心板、第一背板、直通板、第二背板和測試板構成的測試單元支持一個或多個被測試器件同時測試。

4.如權利要求3所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，各測試單元之間具有預留的間隙，所述第二溫度區的氣流為側面出風，使散熱氣流均勻無阻礙地吹過測試單元之間的間隙。

5.如權利要求1或2所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，所述隔離區尺寸可調，最小調至與第一溫度區合并為一體。

6.如權利要求1或2所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，所述第一、第二背板與直通板間采用耐受高溫和低溫并隔熱的板對板連接器。

7.如權利要求1或2所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，采用印刷電路板作為直通板。

8.如權利要求1或2所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，所述第二溫度區溫度可調，可調溫度范圍為-50℃～+150℃。

9.如權利要求1或2所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，所述直通板的側面設置有一個或多個散熱裝置對直通板進行散熱。

10.如權利要求1或2所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，老化測試箱內測試核心板側面處設置有一個或多個散熱裝置對測試核心板進行散熱。

11.如權利要求1或2所述的半導體存儲器高低溫老化測試箱，其特征在于，老化測試箱箱體正面設置有用于顯示老化箱內狀態的狀態區、用于人機交互的操作界面，以及電源按鈕；該狀態區具有指示老化箱運行狀態的狀態指示燈和聲光告警燈。