[實用新型]一種MOSFET封裝結構

有效

• 申請號: 201821419307.5
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN208873714U
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 葛詩方;葛俊華;吳云霞
• 申請（專利權）人: 寧波方達新能源有限公司
• 主分類號: H01L23/40
• 分類號: H01L23/40;H01L23/367
• 代理公司: 寧波誠源專利事務所有限公司 33102
• 代理人: 劉鳳欽

1.一種MOSFET封裝結構，包括導熱殼體(1)和用以將MOSFET芯片(100)固定在導熱殼體(1)上的固定結構(2)，其特征在于：所述固定結構(2)包括與導熱殼體(1)第一端相連接的連接部(21)和由連接部(21)向導熱殼體(1)第二端延伸的彈性部(22)，所述彈性部(22)始終具有將MOSFET芯片(100)壓設在導熱殼體(1)上的趨勢。

2.根據權利要求1所述的MOSFET封裝結構，其特征在于：所述彈性部(22)具有向遠離導熱殼體(1)一側延伸的弧形段(221)，所述弧形段(221)的一端與連接部(21)相連接，另一端設置有與MOSFET芯片(100)接觸的按壓段(222)。

3.根據權利要求2所述的MOSFET封裝結構，其特征在于：所述弧形段(221)與按壓段(222)、弧形段(221)與連接部(21)之間均呈圓滑過渡。

4.根據權利要求3所述的MOSFET封裝結構，其特征在于：所述按壓段(222)尾部具有向上延伸的卷邊(223)。

5.根據權利要求1所述的MOSFET封裝結構，其特征在于：所述彈性部(22)為多個并沿連接部(21)的長度方向間隔設置，相鄰兩個彈性部(22)之間形成便于取放MOSFET芯片(100)的通槽(23)。

6.根據權利要求1～5中任一權利要求所述的MOSFET封裝結構，其特征在于：所述導熱殼體(1)在鄰近第一端的位置上具有向上延伸的臺階(11)，在MOSFET芯片(100)處于裝配完成狀態下，所述MOSFET芯片(100)的后端部與臺階(11)前端相抵靠。

7.根據權利要求6所述的MOSFET封裝結構，其特征在于：所述連接部(21)通過連接件(3)固定在該臺階(11)上。

8.根據權利要求7所述的MOSFET封裝結構，其特征在于：所述連接件(3)為螺釘，所述連接部(21)和臺階(11)上對應開設有供螺釘穿過的通孔(31)。

9.根據權利要求1所述的MOSFET封裝結構，其特征在于：所述導熱殼體(1)上設置有導熱墊片(4)，在MOSFET芯片(100)處于裝配完成狀態下，所述MOSFET芯片(100)位于導熱墊片(4)和彈性部(22)之間。