[實用新型]晶圓及識別裝置有效
| 申請號: | 201821416867.5 | 申請日: | 2018-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN208954938U | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發明(設計)人: | 侯天宇;龍海鳳;周杰;田茂 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67;H01L23/544 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 晶圓表面 本實用新型 器件區域 識別裝置 外圍區域 識別碼 半導體制造技術 準確度 器件結構 減小 預設 種晶 占用 | ||
本實用新型涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種晶圓及識別裝置。所述晶圓,包括形成有器件結構的器件區域以及圍繞所述器件區域的外圍區域,還包括位于所述晶圓表面且包含有與所述晶圓相關的信息的至少一識別碼;所述識別碼至少部分位于所述外圍區域且面積小于預設值。本實用新型提高了對所述晶圓識別的準確度、并降低了晶圓識別的成本,同時減小對晶圓表面面積的占用,提高了晶圓表面面積的利用率。
技術領域
本實用新型涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種晶圓及識別裝置。
背景技術
目前,半導體集成電路(IC)產業已經經歷了指數式增長。IC材料和設計中的技術進步已經產生了數代IC,其中,每代IC都比前一代IC具有更小和更復雜的電路。在IC發展的過程中,功能密度(即每一芯片面積上互連器件的數量)已普遍增加,而幾何尺寸(即使用制造工藝可以產生的最小部件)卻已減小。除了IC部件變得更小和更復雜之外,在其上制造IC的晶圓變得越來越大,這就對晶圓的質量要求越來越高。
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。在晶圓的制造過程中,為了對每片晶圓進行區分,通常會在晶圓表面設置序列號。所述序列號通常僅包括由數字和/或字母,且所述序列號是通過激光切割的方式于所述晶圓表面形成。
但是,現有的通過序列號識別晶圓的方式存在以下幾個方面的缺陷:(1)用于識別所述序列號的機臺價格昂貴(通常需要數十萬美金),間接導致了晶圓生產成本的升高;(2)由于識別機臺的限制,僅能識別與晶圓相關的序列號信息,識別內容受到了限制;(3)現有的通過激光切割的方式于晶圓表面形成的序列號面積較大,例如現有序列號的面積通常為14mm×2mm左右,降低了晶圓表面的利用率。
因此,如何提高晶圓識別的準確度,同時降低晶圓的生產成本,確保半導體制程持續、穩定的進行,是目前亟待解決的技術問題。
實用新型內容
本實用新型提供一種晶圓及識別裝置,用于解決現有的晶圓識別準確度較低、識別成本較高的問題。
為了解決上述問題,本實用新型提供了一種晶圓,包括形成有器件結構的器件區域以及圍繞所述器件區域的外圍區域,還包括位于所述晶圓表面且包含有與所述晶圓相關的信息的至少一識別碼;所述識別碼至少部分位于所述外圍區域且面積小于預設值。
優選的,所述識別碼為條形碼或者二維碼。
優選的,所述識別碼為二維碼;所述二維碼的面積為2mm×2mm。
優選的,所述二維碼圖案中的線寬小于或等于0.1mm。
優選的,所述二維碼的邊緣與所述晶圓邊緣之間的距離大于3mm。
優選的,至少一識別碼包括多個識別碼,且多個識別碼關于所述晶圓的中心對稱分布。
優選的,所述預設值為5mm2。
為了解決上述問題,本實用新型還提供了一種識別裝置,包括掃碼器;所述掃碼器用于識別上述任一項所述的晶圓中的所述識別碼。
本實用新型提供的晶圓及識別裝置,在晶圓的外圍區域設置有至少一識別碼,通過識別碼可以攜帶更多與所述晶圓相關的信息,為工作人員工作的順利進行提供了參考;且僅通過普通的掃碼器即可實現對所述識別碼的識別,提高了對所述晶圓識別的準確度、并降低了晶圓識別的成本;同時,將所述識別碼的面積設置為小于預設值,可以減小對晶圓表面面積的占用,提高了晶圓表面面積的利用率。
附圖說明
附圖1是本實用新型具體實施方式中晶圓的結構示意圖;
附圖2是本實用新型具體實施方式中一二維碼的結構示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





