[實用新型]有源區陣列及半導體器件

有效

• 申請號: 201821414569.2
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN208923132U
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8239
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本實用新型提供了一種有源區陣列及半導體器件。有源區陣列可基于間距倍增工藝自對準形成多個有源延伸線，并且兩兩相鄰的兩條有源延伸線成對設置以構成一有源延伸線對組，有源延伸線對組中位于其中一條有源延伸線中的多個有源區與位于另一條有源延伸線中的多個有源區一一相對設置。如此，不僅可以實現有源區尺寸遠小于光刻工藝的最小特征尺寸，并且可使有源區陣列中有源區的排布密集度呈多倍增加。

技術領域

本實用新型涉及半導體集成電路技術領域，特別涉及一種有源區陣列及一種半導體器件。

背景技術

在半導體集成電路器件中，常常需要在襯底中定義出有源區陣列，并在所述有源區陣列的多個有源區中制備相應的器件單元。根據傳統的有源區陣列的形成方法，通常是利用光刻工藝直接定義出所述有源區陣列的圖形。然而，基于光刻工藝的精度限制，利用光刻工藝直接定出的圖形其最小尺寸僅能夠達到光刻工藝的極限尺寸而無法進一步縮小。

目前，隨著半導體技術的不斷發展，半導體器件趨于小型化。因此，需要相應的縮減有源區的尺寸，以提高有源區陣列中的有源區的排布密集程度，并提高有源區在陣列區域中利用率。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種有源區陣列，以解決現有的有源區陣列中有源區尺寸無法進一步縮減的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種有源區陣列，包括多個有源區，所述有源區沿著第一方向延伸，并且沿著所述第一方向對齊排布多個所述有源區構成一有源延伸線，所述有源區陣列中的多個所述有源延伸線沿著第二方向依次排布，并且兩兩相鄰的兩條所述有源延伸線成對設置以構成一有源延伸線對組，所述有源延伸線對組中，位于其中一條有源延伸線中的多個有源區與位于另一條有源延伸線中的多個有源區一一相對設置。

可選的，兩兩相鄰的兩組所述有源延伸線對組，構成一延伸線重復單元，每一所述延伸線重復單元包括沿著所述第二方向依次排布的第一有源延伸線、第二有源延伸線、第三有源延伸線和第四有源延伸線；

其中，在同一延伸線重復單元中，所述第二有源延伸線和所述第三有源區延伸線相互背離的兩個邊界之間的間隔尺寸小于等于光刻工藝的最小特征尺寸；以及，在相鄰的所述延伸線重復單元中，其中一個延伸線重復單元中的第二有源延伸線和另一個延伸線重復單元的第三有源延伸線相互靠近的兩個邊界之間的間隔尺寸大于等于光刻工藝的最小特征尺寸。

可選的，在同一延伸線重復單元中，所述第一有源延伸線和所述第二有源延伸線之間的間隔尺寸，以及所述第三有源延伸線和所述第四有源延伸線之間的間隔尺寸均介于20nm～50nm。

可選的，在同一延伸線重復單元中，所述第二有源延伸線和所述第三有源延伸線之間的間隔尺寸介于10nm～40nm。

可選的，在相鄰的所述延伸線重復單元中，其中一個延伸線重復單元中的所述第四有源延伸線和另一個延伸線重復單元中的所述第三有源延伸線之間的間隔尺寸介于10nm～40nm。

可選的，所述有源區的寬度尺寸介于25nm～60nm，沿著所述第二方向相鄰的所述有源區之間的間隔尺寸介于10nm～40nm。

本實用新型的又一目的在于提供一種半導體器件，其具體包括如上所述的有源區陣列。

可選的，所述半導體器件包括集成電路存儲器，所述有源區陣列中的多個有源區用于形成所述集成電路存儲器的多個存儲單元。

在本實用新型提供的有源區陣列中，可基于間距倍增工藝自對準形成多個有源延伸線，并且兩兩相鄰的兩條有源延伸線成對設置以構成一有源延伸線對組，所述有源延伸線對組中，位于其中一條有源延伸線中的多個有源區與位于另一條有源延伸線中的多個有源區一一相對設置。本實用新型中的有源區陣列，即使基于現有的光刻工藝的精度限制，仍可以實現有源區尺寸遠小于光刻工藝的最小特征尺寸，并且可使有源區陣列中有源區的排布密集度呈多倍增加。