[實用新型]有源區(qū)陣列及半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821414569.2
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN208923132U
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8239
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種有源區(qū)陣列，其特征在于，包括多個有源區(qū)，所述有源區(qū)沿著第一方向延伸，并且沿著所述第一方向?qū)R排布多個所述有源區(qū)構(gòu)成一有源延伸線，所述有源區(qū)陣列中的多個所述有源延伸線沿著第二方向依次排布，并且兩兩相鄰的兩條所述有源延伸線成對設(shè)置以構(gòu)成一有源延伸線對組，所述有源延伸線對組中，位于其中一條有源延伸線中的多個有源區(qū)與位于另一條有源延伸線中的多個有源區(qū)一一相對設(shè)置。

2.如權(quán)利要求1所述的有源區(qū)陣列，其特征在于，兩兩相鄰的兩組所述有源延伸線對組，構(gòu)成一延伸線重復(fù)單元，每一所述延伸線重復(fù)單元包括沿著所述第二方向依次排布的第一有源延伸線、第二有源延伸線、第三有源延伸線和第四有源延伸線；

其中，在同一延伸線重復(fù)單元中，所述第二有源延伸線和所述第三有源區(qū)延伸線相互背離的兩個邊界之間的間隔尺寸大于等于光刻工藝的最小特征尺寸；以及，在相鄰的所述延伸線重復(fù)單元中，其中一個延伸線重復(fù)單元中的第二有源延伸線和另一個延伸線重復(fù)單元的第三有源延伸線相互靠近的兩個邊界之間的間隔尺寸大于等于光刻工藝的最小特征尺寸。

3.如權(quán)利要求2所述的有源區(qū)陣列，其特征在于，在同一延伸線重復(fù)單元中，所述第一有源延伸線和所述第二有源延伸線相互靠近的兩個邊界之間的間隔尺寸，以及所述第三有源延伸線和所述第四有源延伸線相互靠近的兩個邊界之間的間隔尺寸均介于20nm～50nm。

4.如權(quán)利要求2所述的有源區(qū)陣列，其特征在于，在同一延伸線重復(fù)單元中，所述第二有源延伸線和所述第三有源延伸線相互靠近的兩個邊界之間的間隔尺寸介于10nm～40nm。

5.如權(quán)利要求2所述的有源區(qū)陣列，其特征在于，在相鄰的所述延伸線重復(fù)單元中，其中一個延伸線重復(fù)單元中的所述第四有源延伸線和另一個延伸線重復(fù)單元中的所述第一有源延伸線相互靠近的兩個邊界之間的間隔尺寸介于10nm～40nm。

6.如權(quán)利要求1～5任一項所述的有源區(qū)陣列，其特征在于，所述有源區(qū)的寬度尺寸介于25nm～60nm，沿著所述第二方向相鄰的所述有源區(qū)之間的間隔尺寸介于10nm～40nm。

7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1所述的有源區(qū)陣列。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括集成電路存儲器，所述有源區(qū)陣列中的多個有源區(qū)用于形成所述集成電路存儲器的多個存儲單元。