[實用新型]HMDS噴涂裝置及系統有效
| 申請號: | 201821405891.9 | 申請日: | 2018-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN208596276U | 公開(公告)日: | 2019-03-12 |
| 發明(設計)人: | 孫元斌;王紹勇;樸松杰 | 申請(專利權)人: | 沈陽芯源微電子設備有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/16 | 分類號: | G03F7/16;B05B15/00 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 唐維虎 |
| 地址: | 110000 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 盤蓋 密封工藝 盤蓋組件 盤體組件 上盤蓋 進氣口 下盤 排氣通道 噴涂裝置 密封組件 進排氣 排氣口 噴涂 連通 密封性好 排氣口排 環沿 申請 | ||
1.一種HMDS噴涂裝置,其特征在于,所述裝置包括盤蓋組件、盤體組件及密封組件,
所述盤蓋組件包括盤蓋本體及進排氣部,所述盤蓋本體包括上盤蓋、下盤蓋及盤蓋外環,所述盤蓋外環沿所述上盤蓋的邊沿設置,所述進排氣部設置在所述盤蓋本體遠離所述盤體組件的一側,其中,所述進排氣部包括進氣口和排氣口;
所述密封組件設置在所述盤蓋組件與所述盤體組件之間,所述盤蓋組件設置在所述密封組件上時,所述下盤蓋與所述盤體組件之間形成用于放置待噴涂裝置的密封工藝腔;
所述下盤蓋與所述上盤蓋之間形成排氣通道,所述下盤蓋的尺寸小于所述上盤蓋的尺寸,所述密封工藝腔與所述進氣口連通,并經所述排氣通道與所述排氣口連通,以使HMDS氣體經所述進氣口進入所述密封工藝腔對放置的待噴涂裝置進行噴涂后,經過所述排氣通道由所述排氣口排出。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述盤體組件包括盤體本體及盤體密封框,所述盤體密封框設置在所述盤體本體邊沿,所述盤體密封框上設置有用于安裝所述密封組件的安裝槽。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述安裝槽包括第一安裝槽及第二安裝槽,所述密封組件包括第一密封件及第二密封件,所述第一安裝槽用于安裝所述第一密封件,所述第二安裝槽用于安裝所述第二密封件。
4.根據權利要求3所述的裝置,其特征在于,所述第一安裝槽的口徑小于所述第二安裝槽的口徑,所述第一密封件為O型圈,所述第二密封件為V型圈。
5.根據權利要求4所述的裝置,其特征在于,
所述盤體密封框上設置有進氣通道,所述進氣通道的出氣口設置在所述第一安裝槽與所述第二安裝槽之間;
所述盤蓋外環包括與所述上盤蓋連接的上盤蓋連接部及從所述上盤蓋連接部遠離所述上盤蓋的一端往所述密封工藝腔內部延伸的延伸部,所述延伸部與所述上盤蓋平行,所述延伸部上設置有一環狀槽,所述出氣口與所述環狀槽連通,其中,所述上盤蓋連接部為環狀,所述環狀槽的深度小于所述延伸部的厚度。
6.根據權利要求5所述的裝置,其特征在于,所述延伸部上還設置有連通孔,所述環狀槽經所述連通孔與所述排氣通道連通。
7.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述盤體本體包括上盤體及下盤體,所述上盤體與所述下盤體之間設置有加熱器,其中,所述上盤體設置在所述下盤蓋與所述下盤體之間。
8.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述裝置還包括真空發生器,所述真空發生器與所述排氣口連接,用于對所述密封工藝腔進行真空處理。
9.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述裝置還包括氣缸組件,所述氣缸組件與所述盤蓋組件連接,用于帶動所述盤蓋組件相對所述盤體組件運動。
10.一種HMDS噴涂系統,其特征在于,所述系統包括氣體提供裝置、第一減壓閥、第一流量計、三通閥、第一過濾器、第二減壓閥、第二流量計、第二過濾器、通斷閥、HMDS罐及權利要求1-9中任意一項所述的HMDS噴涂裝置,
所述氣體提供裝置經第一氣體支路與所述HMDS噴涂裝置連通,以提供對所述HMDS噴涂裝置進行清洗的氣體,其中,所述第一氣體支路包括依次通過管路串聯的所述第一減壓閥、第一流量計、三通閥及第一過濾器;
所述氣體提供裝置還經第二氣體支路與所述HMDS罐連通,以提供對所述HMDS罐內的HMDS表面進行吹掃的氣體,其中,所述第二氣體支路包括依次經管路串聯的所述第二減壓閥、第二流量計、第二過濾器及通斷閥;
所述HMDS罐經第三氣體支路與所述HMDS噴涂裝置連通,以使HMDS氣體進入所述HMDS噴涂裝置,其中,所述第三氣體支路包括通過管路連接的所述三通閥及第一過濾器,所述三通閥用于選擇性地使所述第一氣體支路或第三氣體支路與所述HMDS噴涂裝置連通。
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