[實用新型]坩堝

有效

• 申請號: 201821389701.9
• 申請日: 2018-08-27
• 公開（公告）號: CN208949441U
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 晏文勇;汪佩淵;歐子楊;李省平;白梟龍;鄧清香;張濤;金浩
• 申請（專利權）人: 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 何世磊

本實用新型提供一種坩堝，涉及類單晶硅鑄錠技術領域，所述坩堝包括坩堝本體，還包括設于所述坩堝本體內底部上的若干條狀的隔離塊，所有的所述隔離塊縱橫交錯布置，以隔離出若干籽晶放置區域，所述隔離塊的熱導率低于所述坩堝本體底部的熱導率，所述隔離塊的寬度位于1mm至3mm之間。本實用新型中的坩堝，由于類單晶籽晶塊被隔離塊隔離開，這樣在長晶過程當中，類單晶籽晶塊之間就不會產生擠壓，同時單晶硅片能夠很好的填補隔離塊隔離出的籽晶間隙，整體實現無縫拼接，這樣很好的避免籽晶縫隙形成多晶的同時又很好的消除了籽晶拼接處的擠壓，從而降低接縫間缺陷，提升成型后的類單晶品質。

技術領域

本實用新型涉及類單晶硅鑄錠技術領域，特別涉及一種坩堝。

背景技術

自21世紀以來，隨著傳統能源的枯竭和環境問題的凸顯，使得清潔可再生能源替代傳統能源成為當務之急，清潔可再生能源尤以太陽能光伏發電技術為代表，近10年來取得巨大發展。當前太陽能光伏發電技術主要以多晶硅電池為主，由于市場越來越追求低成本高效電池，類單晶因具備單晶硅高效和多晶硅產能高的優點使得近年來成為各大光伏名企的開發重點。

其中，類單晶鑄錠是通過在坩堝底部鋪設類單晶籽晶塊形核后經定向凝固形成類單晶的鑄錠技術，類單晶籽晶塊的鋪底拼接是類單晶的關鍵技術之一，籽晶間拼接要求無縫以避免縫隙滲進熔硅而形核長出多晶，而無縫下的籽晶拼接在高溫熔融狀態下體積膨脹會造成一定的擠壓，晶體生長過程中由于拼接處擠壓力的存在很容易衍生缺陷并向上增殖嚴重影響類單晶品質。

基于此，消除籽晶拼接處的擠壓是降低缺陷提升類單晶品質的一個關鍵，然而，現有技術當中，目前仍沒有一項比較成熟的用于消除籽晶拼接處的擠壓的技術方案，導致籽晶拼接處的擠壓依然成為提升類單晶品質的障礙。

實用新型內容

基于此，本實用新型的目的是提供一種坩堝，以解決現有技術無法消除籽晶拼接處的擠壓的技術問題。

一種坩堝，包括坩堝本體，還包括設于所述坩堝本體內底部上的若干條狀的隔離塊，所有的所述隔離塊縱橫交錯布置，以隔離出若干籽晶放置區域，所述隔離塊的熱導率低于所述坩堝本體底部的熱導率，所述隔離塊的寬度位于1mm至3mm之間。

本實用新型的有益效果為，通過上述設計得到的坩堝，在鑄錠時，可在坩堝的每一籽晶放置區域中均鋪設一類單晶籽晶塊，并使類單晶籽晶塊與自身外圍的隔離塊貼靠，并在相鄰兩個類單晶籽晶塊之間插入一單晶硅片，單晶硅片的底部與隔離塊抵靠，其頂部與類單晶籽晶塊的頂部平齊，單晶硅片的厚度與隔離塊的寬度相對應，由于類單晶籽晶塊被隔離塊隔離開，這樣在長晶過程當中，類單晶籽晶塊之間就不會產生擠壓，同時單晶硅片能夠很好的填補隔離塊隔離出的籽晶間隙，整體實現無縫拼接，這樣很好的避免籽晶縫隙形成多晶的同時又很好的消除了籽晶拼接處的擠壓，從而降低接縫間缺陷，提升成型后的類單晶品質。

除此之外，在本實用新型較佳的實施例當中，所述坩堝還可以具有以下附加技術特征：

進一步地，所有的所述籽晶放置區域呈矩形陣列排布。

進一步地，所述隔離塊的高度位于3mm至5mm之間。

進一步地，排列在最外圍的所述籽晶放置區域由所述隔離塊和所述坩堝本體的側壁圍擋而成。

進一步地，且排列在最外圍的所述籽晶放置區域大于排列在中間的所述籽晶放置區域。

進一步地，所述隔離塊包括隔離本體及設于所述隔離本體外表面上的隔離層，所述隔離層采用低熱導率的材質制作而成，所述隔離本體與所述坩堝本體一體成型。

進一步地，所述隔離塊的寬度朝遠離所述坩堝本體底部的方向逐漸增大。

進一步地，所述隔離塊的頂部棱角處倒設有圓角。

進一步地，所述隔離塊與所述坩堝本體采用一體成型。