[實(shí)用新型]坩堝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821389701.9 | 申請日： | 2018-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN208949441U | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 晏文勇;汪佩淵;歐子楊;李省平;白梟龍;鄧清香;張濤;金浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 隔離塊 坩堝 籽晶 本實(shí)用新型 單晶籽晶 坩堝本體 熱導(dǎo)率 隔離 擠壓 縱橫交錯(cuò)布置 單晶硅片 放置區(qū)域 類單晶硅 無縫拼接 整體實(shí)現(xiàn) 鑄錠技術(shù) 拼接處 單晶 多晶 接縫 成型 體內(nèi) 填補(bǔ) | ||
1.一種坩堝，包括坩堝本體，其特征在于，還包括設(shè)于所述坩堝本體內(nèi)底部上的若干條狀的隔離塊，所有的所述隔離塊縱橫交錯(cuò)布置，以隔離出若干籽晶放置區(qū)域，所述隔離塊的熱導(dǎo)率低于所述坩堝本體底部的熱導(dǎo)率，所述隔離塊的寬度位于1mm至3mm之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝，其特征在于，所有的所述籽晶放置區(qū)域呈矩形陣列排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述隔離塊的高度位于3mm至5mm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的坩堝，其特征在于，排列在最外圍的所述籽晶放置區(qū)域由所述隔離塊和所述坩堝本體的側(cè)壁圍擋而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的坩堝，其特征在于，排列在最外圍的所述籽晶放置區(qū)域大于排列在中間的所述籽晶放置區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述隔離塊包括隔離本體及設(shè)于所述隔離本體外表面上的隔離層，所述隔離層采用低熱導(dǎo)率的材質(zhì)制作而成，所述隔離本體與所述坩堝本體一體成型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述隔離塊的寬度朝遠(yuǎn)離所述坩堝本體底部的方向逐漸增大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述隔離塊的頂部棱角處倒設(shè)有圓角。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述隔離塊與所述坩堝本體采用一體成型。
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