[實用新型]一種感測裝置有效
| 申請號: | 201821383492.7 | 申請日: | 2018-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN209044634U | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發明(設計)人: | 王小明 | 申請(專利權)人: | 深圳阜時科技有限公司 |
| 主分類號: | G06K9/00 | 分類號: | G06K9/00;G01B11/25 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 被測目標 發射 感測模組 感測裝置 光束調制 光學投影 光源結構 三維信息 預設圖案 圖案化 感測 模組 半導體基底 本實用新型 擴散 光強均勻 光束擴散 立體形狀 圖案光束 泛光 光場 排布 投射 分析 | ||
本實用新型提供了一種感測裝置,用于感測被測目標物的三維信息,其包括光學投影模組及感測模組。所述光學投影模組包括光束調制元件及光源結構。所述光源結構包括發出第一光束的第一發射部及發出第二光束的第二發射部。所述第一發射部及第二發射部形成在同一個半導體基底上或相互連接以集成為整體結構。所述光束調制元件包括對應第一發射部設置的擴散部及對應第二發射部設置的圖案化部。所述擴散部用于將第一光束擴散形成光強均勻分布的泛光光束。所述圖案化部用于將第二光束的光場進行重新排布形成能夠在被測目標物上投射出預設圖案的圖案光束。所述感測模組通過分析所述預設圖案隨被測目標物立體形狀的變化情況來感測被測目標物的三維信息。
技術領域
本實用新型屬于光學技術領域,尤其涉及一種感測裝置。
背景技術
現有的三維(Three Dimensional,3D)感測模組通常需要分別設置泛光發射器和光圖案發射器來配合實現3D感測。然而,所述分別設置的泛光發射器和光圖案發射器,不僅會增加成本,而且所占體積較大也影響了使用該3D感測模組設備的小型化設計。
發明內容
本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種感測裝置,可以高度集成泛光和光圖案投射功能,達成小型化及降低成本的有益效果。
本實用新型實施方式提供一種感測裝置,用于感測被測目標物的三維信息,其包括光學投影模組及感測模組。所述光學投影模組包括光束調制元件及光源結構。所述光源結構包括發出第一光束的第一發射部及發出第二光束的第二發射部。所述第一發射部及第二發射部形成在同一個半導體基底上或相互連接以集成為整體結構。所述光束調制元件包括擴散部及圖案化部。所述擴散部對應光源結構的第一發射部進行設置,用于將所述第一光束擴散形成光強均勻分布的泛光光束。所述圖案化部對應光源結構的第二發射部進行設置,用于將所述第二光束的光場進行重新排布形成能夠在被測目標物上投射出預設圖案的圖案光束。所述感測模組通過分析所述預設圖案隨被測目標物立體形狀的變化情況來感測被測目標物的三維信息。
在某些實施方式中,所述第一發射部包括多個用于發射第一光束的第一發光體。所述第二發射部包括多個用于發射第二光束的第二發光體。所述第一發光體和第二發光體形成在同一個半導體基底上并可分別被獨立地控制發光。所述半導體基底上定義出位于半導體基底中部的第一發光區域以及圍繞所述第一發光區域設置的第二發光區域。
在某些實施方式中,所述第一發光體在半導體基底上按照預設的相同間隔均勻分布。所述第二發光體在半導體基底上不規則分布或者按照預設的相同間隔均勻分布。
在某些實施方式中,所述第一發光體形成在半導體基底的第一發光區域內。所述第二發光體形成在半導體基底的第二發光區域內。
在某些實施方式中,所述第一發光體形成在半導體基底的第二發光區域內。所述第二發光體形成在半導體基底的第一發光區域內。
在某些實施方式中,所述第一發光區域為矩形。所述第二發光區域對應設置在第一發光區域的四個邊角處。
在某些實施方式中,所述第二發光區域為在所述第一發光區域外包圍所述第一發光區域一圈的框形區域。所述第一發光區域與第二發光區域之間最小間距D的大小滿足條件其中H為光源結構的發光面與設置在光源結構上方順序排列的第一個光學元件之間的距離,θ為從第一發光區域和第二發光區域所發出光束的最大發散角度。
在某些實施方式中,所述第一發光區域為位于半導體基底中部的矩形。所述第二發光區域為所述半導體基底形成有發光體的表面上除了第一發光區域以外的其他區域。
在某些實施方式中,所述第一發射部包括形成在一第一半導體基底上的第一發光體及導光板。所述導光板包括入光面及出光面。所述第一發光體對應導光板的入光面設置。所述第二發射部設置在導光板出光面的中間位置。所述第二發射部包括形成在一第二半導體基底上的一個或多個第二發光體。
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