[實用新型]一種感測裝置

有效

• 申請號: 201821383492.7
• 申請日: 2018-08-25
• 公開（公告）號: CN209044634U
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 王小明
• 申請（專利權）人: 深圳阜時科技有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;G01B11/25
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種感測裝置，用于感測被測目標物的三維信息，其特征在于：包括光學投影模組及感測模組，所述光學投影模組包括光束調制元件及光源結構，所述光源結構包括發出第一光束的第一發射部及發出第二光束的第二發射部，所述第一發射部及第二發射部形成在同一個半導體基底上或相互連接以集成為整體結構，所述光束調制元件包括擴散部及圖案化部，所述擴散部對應光源結構的第一發射部進行設置，用于將所述第一光束擴散形成光強均勻分布的泛光光束，所述圖案化部對應光源結構的第二發射部進行設置，用于將所述第二光束的光場進行重新排布形成能夠在被測目標物上投射出預設圖案的圖案光束，所述感測模組通過分析所述預設圖案隨被測目標物立體形狀的變化情況來感測被測目標物的三維信息。

2.如權利要求1所述的感測裝置，其特征在于：所述第一發射部包括多個用于發射第一光束的第一發光體，所述第二發射部包括多個用于發射第二光束的第二發光體，所述第一發光體和第二發光體形成在同一個半導體基底上并可分別被獨立地控制發光，所述半導體基底上定義出位于半導體基底中部的第一發光區域以及圍繞所述第一發光區域設置的第二發光區域。

3.如權利要求2所述的感測裝置，其特征在于：所述第一發光體在半導體基底上按照預設的相同間隔均勻分布，所述第二發光體在半導體基底上不規則分布或者按照預設的相同間隔均勻分布。

4.如權利要求3所述的感測裝置，其特征在于：所述第一發光體形成在半導體基底的第一發光區域內，所述第二發光體形成在半導體基底的第二發光區域內；或

所述第一發光體形成在半導體基底的第二發光區域內，所述第二發光體形成在半導體基底的第一發光區域內。

5.如權利要求4所述的感測裝置，其特征在于：所述第一發光區域為矩形，所述第二發光區域對應設置在第一發光區域的四個邊角處。

6.如權利要求4所述的感測裝置，其特征在于：所述第二發光區域為在所述第一發光區域外包圍所述第一發光區域一圈的框形區域，所述第一發光區域與第二發光區域之間最小間距D的大小滿足條件其中H為光源結構的發光面與設置在光源結構上方順序排列的第一個光學元件之間的距離，θ為從第一發光區域和第二發光區域所發出光束的最大發散角度。

7.如權利要求4所述的感測裝置，其特征在于：所述第一發光區域為位于半導體基底中部的矩形，所述第二發光區域為所述半導體基底形成有發光體的表面上除了第一發光區域以外的其他區域。

8.如權利要求1所述的感測裝置，其特征在于：所述第一發射部包括形成在一第一半導體基底上的第一發光體及導光板，所述導光板包括入光面及出光面，所述第一發光體對應導光板的入光面設置，所述第二發射部設置在導光板出光面的中間位置，所述第二發射部包括形成在一第二半導體基底上的一個或多個第二發光體。

9.如權利要求8所述的感測裝置，其特征在于：所述多個第二發光體在第二半導體基底上不規則分布；或

所述多個第二發光體在第二半導體基底上按照預設的相同間隔均勻地排布。

10.如權利要求2所述的感測裝置，其特征在于：所述第二發射部包括一個形成在半導體基底中部的第二發光體，所述第一發射部包括多個圍繞所述第二發光體對稱分布的第一發光體，所述第一發光體及第二發光體形成在同一個半導體基底上并分別被獨立地控制發光，所述第一發光體和第二發光體均為單孔寬面型垂直腔面發射激光器；或

所述第二發射部包括多個不規則分布在半導體基底中部的第二發光體，所述第一發射部包括圍繞所述多個第二發光體所在區域對稱分布的多個第一發光體，所述第一發光體及第二發光體形成在同一個半導體基底上并分別被獨立地控制發光，所述第一發光體為單孔寬面型垂直腔面發射激光器，所述第二發光體為多個垂直腔面發射激光器組成的發光陣列。