[實用新型]電池片有效
| 申請號: | 201821371424.9 | 申請日: | 2018-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN209016067U | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發明(設計)人: | 鄧瑞;孫翔 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摻雜層 第一電極 硅基體 第二電極 電池片 本實用新型 表面設置 引出電流 摻雜區 裸露區 背接觸電池 操作工藝 摻雜類型 背光面 受光面 下表面 向光面 掩膜 | ||
本實用新型公開了一種電池片,包括:硅基體,所述硅基體包括受光面和向光面;所述硅基體的背光面設有第一電極類型摻雜層,所述第一電極類型摻雜層與所述硅基體的摻雜類型相同;所述第一電極類型摻雜層的下表面包括用于裸露出部分所述第一電極類型摻雜層的裸露區以及設置有第二電極類型摻雜層的摻雜區;所述第一電極類型摻雜層的裸露區的表面設置有用于引出電流的第一電極,所述第二電極類型摻雜層的摻雜區的表面設置有用于引出電流的第二電極。本實用新型的電池片只需一次掩膜,即可形成全背接觸電池,大大較少了操作工藝,降低生產成本。
技術領域
本發明涉及電池技術領域,具體而言,涉及一種電池片。
背景技術
在傳統的太陽能電池中,發射極接觸電極和基極接觸電極分別制作在電池片的正面和背面,其中接觸發射極的電極制作在接受陽光照射的一面,因此電池的部分表面被金屬覆蓋,這部分遮光面積不能參與吸收入射的太陽光,造成一部分光學損失。為了減少遮光損失,可以將部分或者全部的柵線電極制作在電池片的背面。在光伏技術日趨成熟且競爭巨大的今天,此類高效技術尤為重要。交錯背接觸(IBC)電池的設計滿足了現代高效技術的需求,代表了未來的光伏技術發展方向。該電池的電極全部位于電池的背面,呈叉指狀排列,提高了電池轉化效率和組件的輸出功率,使電池到組件(CTM)的損耗降到最小。
與傳統太陽能電池制作相比,常規的IBC太陽能電池制作工藝需要將P型和 N型摻雜區域在晶硅硅基體的同一個背面上分區域形成。一般是在掩膜保護的條件下使用熱擴散摻雜的方法先形成P型(或者N型)摻雜區域,然后去除第一次掩膜,制作第二次掩膜后形成N型(或者P型)摻雜區域,然后制作鈍化層,電極層,最后形成完整的太陽能電池。
上述產品存在以下幾大缺點:一、工藝復雜。常規IBC電池制作至少經過兩次掩膜以及擴散過程以形成分區摻雜,全部工藝步驟接近三四十步,是傳統太陽能電池的三四倍。二、技術難度大。IBC電池制作中的掩膜以及分區需要高精度可控,工藝實現難度大。三、可控性差。由于工藝步驟復雜,每一步都有各種因素可能對電池性能產生影響,因此過程可控度比較低。四、成本高。流程冗長以及其中所涉及技術復雜,難度大從而導致該電池的成本高昂。總之,常規的IBC 電池制作工藝步驟繁瑣、復雜而且成本高,不利于規模化生產。
實用新型內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此,本發明提出一種電池,所述電池具有有效受光面積大、制作工藝簡單、成本低、良品率高等優點。
根據本實用新型提供的電池片,包括:硅基體,所述硅基體包括受光面和向光面;所述硅基體的背光面設有第一電極類型摻雜層,所述第一電極類型摻雜層與所述硅基體的摻雜類型相同;所述第一電極類型摻雜層的下表面包括用于裸露出部分所述第一電極類型摻雜層的裸露區以及設置有第二電極類型摻雜層的摻雜區;所述裸露區的表面設置有用于引出電流的第一電極,所述摻雜區的表面設置有用于引出電流的第二電極。
可選的,所述第一電極類型摻雜層或第二電極類型摻雜層為碲摻雜的氧化鈦層。
可選的,所述碲摻雜的氧化鈦層的厚度為1~500nm。
可選的,所述第一電極包括第一電極副柵線和第一電極主柵線,所述第一電極副柵線包括多個;所述第二電極包括第二電極副柵線和第二電極主柵線,所述第二電極副柵線包括多個;多個所述第一電極副柵線彼此間隔設置且與所述第一電極主柵線相連,多個所述第二電極副柵線彼此間隔設置且與所述第二電極主柵線相連。
可選的,所述電池片還包括位于硅基體受光面的第三摻雜層,所述第三摻雜層的摻雜類型與硅基體的摻雜類型相同。
可選的,所述電池片還包括位于第三摻雜層上表面的減反射層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于比亞迪股份有限公司,未經比亞迪股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821371424.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





