[實用新型]電池片有效
| 申請號: | 201821371424.9 | 申請日: | 2018-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN209016067U | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發明(設計)人: | 鄧瑞;孫翔 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摻雜層 第一電極 硅基體 第二電極 電池片 本實用新型 表面設置 引出電流 摻雜區 裸露區 背接觸電池 操作工藝 摻雜類型 背光面 受光面 下表面 向光面 掩膜 | ||
1.一種電池片,其特征在于,包括:硅基體,所述硅基體包括受光面和向光面;所述硅基體的背光面設有第一電極類型摻雜層,所述第一電極類型摻雜層與所述硅基體的摻雜類型相同;所述第一電極類型摻雜層的下表面包括用于裸露出部分所述第一電極類型摻雜層的裸露區以及設置有第二電極類型摻雜層的摻雜區;所述裸露區的表面設置有用于引出電流的第一電極,所述摻雜區的表面設置有用于引出電流的第二電極。
2.根據權利要求1所述的電池片,其特征在于,所述第一電極類型摻雜層或第二電極類型摻雜層為碲摻雜的氧化鈦層。
3.根據權利要求2所述的電池片,其特征在于,所述碲摻雜的氧化鈦層的厚度為1~500nm。
4.根據權利要求1所述的電池片,其特征在于,所述第一電極包括第一電極副柵線和第一電極主柵線,所述第一電極副柵線包括多個;所述第二電極包括第二電極副柵線和第二電極主柵線,所述第二電極副柵線包括多個;
多個所述第一電極副柵線彼此間隔設置且與所述第一電極主柵線相連,多個所述第二電極副柵線彼此間隔設置且與所述第二電極主柵線相連。
5.根據權利要求1所述的電池片,其特征在于,所述電池片還包括位于硅基體受光面的第三摻雜層,所述第三摻雜層的摻雜類型與硅基體的摻雜類型相同。
6.根據權利要求5所述的電池片,其特征在于,所述電池片還包括位于第三摻雜層上表面的減反射層。
7.根據權利要求1-6任一項所述的電池片,其特征在于,所述電池片包括N型硅基體,所述 N型硅基體包括受光面和背光面;所述N型硅基體的受光面設有N+摻雜層,所述N型摻雜層的上表面設有減反射層;所述N型硅基片的背光面設有碲摻雜的氧化鈦層;所述碲摻雜的氧化鈦層的下表面包括用于裸露出部分所述碲摻雜的氧化鈦層的裸露區以及P型摻雜區;所述裸露區的表面設置有用于引出電流的負電極,所述P型摻雜區的表面設置有用于引出電流的正電極。
8.根據權利要求1-6任一項所述的電池片,其特征在于,所述電池片包括P型硅基體,所述 P型硅基體包括受光面和背光面;所述P型硅基體的受光面設有P+摻雜層,所述P+摻雜層的上表面設有減反射層;所述P型硅基片的背光面設有P型摻雜層,所述P型摻雜層的下表面包括用于裸露出部分所述P型摻雜層的裸露區以及用于設置碲摻雜的氧化鈦層的摻雜區;所述裸露區的表面設置有用于引出電流的正電極,所述碲摻雜的氧化鈦層的摻雜區表面設置有用于引出電流的負電極。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





