[實用新型]集成電路布圖結構

有效

• 申請號: 201821363910.6
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN208753317U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 趙奐
• 申請（專利權）人: 湖南格蘭德芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/528;H01L23/532;H01L23/373
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

本實用新型公開了一種集成電路布圖結構，包括傳導半導體器件和被傳導半導體器件，傳導半導體器件的至少一層金屬層向被傳導半導體器件延伸插入或覆蓋被傳導半導體器件的至少一層金屬層，傳導半導體器件延伸金屬層是傳導金屬層，被傳導半導體器件被插入金屬層或被覆蓋金屬層是被傳導金屬層，該傳導金屬層與傳導半導體器件其他金屬層通過接觸孔連接，該傳導金屬層與被傳導半導體器件無接觸。本實用新型的布圖結構能在滿足集成電路布圖最小物理規則前提下，使相鄰半導體器件滿足溫度耦合或感應要求。

技術領域

本實用新型涉及集成電路領域，特別是涉及一種集成電路布圖結構。

背景技術

在集成電路領域制造集成電路布圖結構時，由于某些功能要求需要使兩個半導體器件的工作環境(尤其是溫度)盡量保持一致或盡量接近，以便補充工作環境差異對器件性能所產生的影響。通常在設計布圖結構時，使對工作環境要求相同的兩個半導體器件的物理位置盡量接近。但由于集成電路布圖需要遵循一定的物理規則，任何器件之間均有最小物理距離限制，半導體器件之間的距離必須滿足所允許的最小物理距離，半導體器件不能無限制的靠近。因此，存在對工作環境要求相同的半導體器件因最小物理距離限制導致工作環境(溫度耦合或感應)無法得到滿足，造成半導體器件性能得不到保證的情況。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種在滿足集成電路布圖最小物理規則前提下，使相鄰半導體器件能滿足工作環境(溫度耦合或感應)要求的集成電路布圖結構。

為解決上述技術問題，本實用新型提供的集成電路布圖結構，包括傳導半導體器件的至少一層金屬層向被傳導半導體器件延伸插入或覆蓋被傳導半導體器件的至少一層金屬層，傳導半導體器件延伸金屬層是傳導金屬層，被傳導半導體器件被插入金屬層或被覆蓋金屬層是被傳導金屬層，該傳導金屬層與傳導半導體器件其他金屬層通過接觸孔連接，該傳導金屬層與被傳導半導體器件無接觸。

進一步改進所述的集成電路布圖結構，傳導金屬層設置在傳導半導體器件第m金屬層，被傳導金屬層設置在被傳導半導體的第n層金屬層，m≥1，n≥1。

進一步改進所述的集成電路布圖結構，當被傳導金屬層是被傳導器件的頂層金屬層時，傳導金屬層延伸覆蓋被傳導金屬層；

當被傳導金屬層不是被傳導器件的頂層金屬層時，傳導金屬層延伸插入被傳導金屬層。

進一步改進所述的集成電路布圖結構，當被傳導金屬層不是被傳導器件的頂層金屬層時，傳導金屬層延伸形成插指狀結構插入被傳導金屬層中，傳導金屬層的插指狀結構與其插入被傳導金屬層之間距離為現有工藝所能實現的最小物理距離。

進一步改進所述的集成電路布圖結構，當被傳導金屬層是被傳導器件的頂層金屬層時，傳導金屬層是傳導器件的頂層金屬層。

進一步改進所述的集成電路布圖結構，傳導金屬層和被傳導金屬層一一對應設置，傳導金屬層插入距離最近的被傳導金屬層。

進一步改進所述的集成電路布圖結構，傳導金屬層和被傳導金屬層數量不同時，傳導金屬層插入距離最近的被傳導金屬層。

進一步改進所述的集成電路布圖結構，傳導金屬層覆蓋被傳導金屬層時，傳導金屬層與被傳導金屬層時之間距離d1為0.1微米-2.0微米；

傳導金屬層插入被傳導金屬層時，傳導金屬層與被傳導金屬層相鄰金屬層之間距離d2為0.1微米-2.0微米。

半導體器件具有相連的金屬層通常至少有2-4層，甚至更多的金屬層。每層金屬層的厚度通常為0.5微米-4微米。這些金屬層具有良好的熱傳導性，非常適合進行熱傳導。本實用新型利用金屬層的熱傳導性在滿足集成電路布圖最小物理規則前提下，將兩個(甚至多個)相鄰的半導體器件通過傳導金屬層覆蓋，使各半導體器件滿足設計的溫度耦合或感應要求。

附圖說明