[實用新型]集成電路布圖結構

有效

• 申請號: 201821363910.6
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN208753317U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 趙奐
• 申請（專利權）人: 湖南格蘭德芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/528;H01L23/532;H01L23/373
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種集成電路布圖結構，包括傳導半導體器件和被傳導半導體器件，其特征在于：傳導半導體器件的至少一層金屬層向被傳導半導體器件延伸插入或覆蓋被傳導半導體器件的至少一層金屬層，傳導半導體器件延伸金屬層是傳導金屬層，被傳導半導體器件被插入金屬層或被覆蓋金屬層是被傳導金屬層，該傳導金屬層與傳導半導體器件其他金屬層通過接觸孔連接，該傳導金屬層與被傳導半導體器件無接觸。

2.如權利要求1所述的集成電路布圖結構，其特征在于：傳導金屬層設置在傳導半導體器件第m金屬層，被傳導金屬層設置在被傳導半導體的第n層金屬層，m≥1，n≥1。

3.如權利要求1所述的集成電路布圖結構，其特征在于：當被傳導金屬層是被傳導器件的頂層金屬層時，傳導金屬層延伸覆蓋被傳導金屬層；

當被傳導金屬層不是被傳導器件的頂層金屬層時，傳導金屬層延伸插入被傳導金屬層。

4.如權利要求3所述的集成電路布圖結構，其特征在于：當被傳導金屬層不是被傳導器件的頂層金屬層時，傳導金屬層延伸形成插指狀結構插入被傳導金屬層中，傳導金屬層的插指狀結構與其插入被傳導金屬層之間距離為現有工藝所能實現的最小物理距離。

5.如權利要求3所述的集成電路布圖結構，其特征在于：當被傳導金屬層是被傳導器件的頂層金屬層時，傳導金屬層是傳導器件的頂層金屬層。

6.如權利要求4所述的集成電路布圖結構，其特征在于：傳導金屬層和被傳導金屬層一一對應設置，傳導金屬層插入距離最近的被傳導金屬層。

7.如權利要求4所述的集成電路布圖結構，其特征在于：傳導金屬層插入距離最近的被傳導金屬層。

8.如權利要求1-7任意一項所述的集成電路布圖結構，其特征在于：

傳導金屬層覆蓋被傳導金屬層時，傳導金屬層與被傳導金屬層時之間距離d1為0.1微米-2.0微米；傳導金屬層插入被傳導金屬層時，傳導金屬層與被傳導金屬層相鄰金屬層之間距離d2為0.1微米-2.0微米。