[實用新型]埋入式芯片

有效

• 申請號: 201821362051.9
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN208706581U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 谷新
• 申請（專利權）人: 深南電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

本申請提供一種埋入式芯片。該埋入式芯片包括：金屬基底；金屬層，設置在金屬基底上，金屬層內形成凹槽；芯片，設置在金屬基底上，并位于凹槽中，芯片包括遠離金屬基底的第一芯片表面，在第一芯片表面上設置有連接端子；介質層，設置在芯片的第一芯片表面上；引出端子，與芯片的連接端子電連接，以將連接端子扇出。本申請通過將芯片設置在金屬基底和金屬層的凹槽中，使得芯片的多個面被金屬材質包圍，例如芯片包括六個面，則其五個面，包括與金屬基底接觸的表面以及與金屬層相鄰的四個側面均被金屬材質包圍，由于金屬的散熱性良好，因此可對埋入的芯片進行有效的散熱，提高了芯片的散熱能力，適用于各種芯片的散熱需求。

技術領域

本申請涉及芯片封裝技術領域，特別涉及一種埋入式芯片。

背景技術

隨著電子產品高頻高速需求的發展，傳統的打線封裝和倒裝封裝互聯方式難以滿足高頻高速信號傳輸的需求，因此越來越多芯片采用基板內埋入或者晶圓級的扇出工藝實現裸芯片封裝，減小封裝互聯尺寸而實現芯片高頻高速傳輸對信號完整性的需求。但現有技術的埋入式封裝方案難以實現高散熱芯片的需求。

實用新型內容

本申請主要解決的技術問題是提供一種埋入式芯片，能夠提高芯片的散熱效果，從而實現各種芯片的散熱需求。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種埋入式芯片，埋入式芯片包括：金屬基底；金屬層，設置在金屬基底上，金屬層內形成凹槽；芯片，設置在金屬基底上，并位于凹槽中，芯片包括遠離金屬基底的第一芯片表面，在第一芯片表面上設置有連接端子；介質層，設置在芯片的第一芯片表面上；引出端子，與芯片的連接端子電連接，以將連接端子扇出。

本申請通過將芯片設置在金屬基底上，并位于金屬層的凹槽中，使得芯片的多個面被金屬材質包圍，例如芯片包括六個面，則其五個面，包括與金屬基底接觸的表面以及與金屬層相鄰的四個側面均被金屬材質包圍，由于金屬的散熱性良好，因此可對埋入的芯片進行有效的散熱，提高了芯片的散熱能力，適用于各種芯片的散熱需求。

附圖說明

圖1是本申請實施例提供的一種埋入式芯片的制造方法的流程示意圖；

圖2-圖16是本申請實施例提供的另一種埋入式芯片的制造方法的流程示意圖；

圖17是本申請實施例提供的一種埋入式芯片的俯視結構示意圖；

圖18是圖17沿著虛線B1-B2的方向剖切的剖面結構示意圖；

具體實施方式

下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，以下所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。

為了使本申請實施例提供的技術方案更加清楚，以下實施例結合附圖對本申請技術方案進行詳細描述。

請參閱圖1，圖1是本申請實施例提供的一種埋入式芯片的制造方法的流程示意圖。如圖1所示，本實施例的制造方法包括以下步驟：

步驟S1：提供一金屬基底。

步驟S2：在金屬基底上設置金屬層，其中，金屬層內形成多個凹槽。

步驟S3：將芯片放置在金屬基底上，并位于凹槽中，芯片包括遠離金屬基底的第一芯片表面，在第一芯片表面上設置有連接端子。

步驟S4：在芯片的第一芯片表面上設置介質層。

步驟S5：將芯片的連接端子扇出。