[實用新型]埋入式芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821362051.9
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN208706581U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設計）人: 谷新
• 申請（專利權）人: 深南電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種埋入式芯片，其特征在于，所述埋入式芯片包括：

金屬基底；

金屬層，設置在所述金屬基底上，所述金屬層內(nèi)形成凹槽；

芯片，設置在所述金屬基底上，并位于所述凹槽中，所述芯片包括遠離所述金屬基底的第一芯片表面，在所述第一芯片表面上設置有連接端子；

介質(zhì)層，設置在所述芯片的所述第一芯片表面上；

引出端子，與所述芯片的連接端子電連接，以將所述連接端子扇出。

2.根據(jù)權利要求1所述的埋入式芯片，其特征在于，

所述金屬層的厚度等于或大于所述芯片的厚度。

3.根據(jù)權利要求2所述的埋入式芯片，其特征在于，所述金屬層的厚度范圍為50微米-300微米，所述金屬層的厚度比所述芯片的厚度大15-20微米。

4.根據(jù)權利要求1所述的埋入式芯片，其特征在于，所述凹槽的寬度大于或等于所述芯片的寬度。

5.根據(jù)權利要求1所述的埋入式芯片，其特征在于，所述芯片進一步包括與所述第一芯片表面相對設置的第二芯片表面；

在所述金屬基底位于所述凹槽的位置設置粘結(jié)膠，所述第二芯片表面通過所述粘結(jié)膠與所述金屬基底粘結(jié)固定。

6.根據(jù)權利要求1所述的埋入式芯片，其特征在于，所述介質(zhì)層進一步填充所述凹槽，并覆蓋所述金屬層。

7.根據(jù)權利要求1所述的埋入式芯片，其特征在于，所述引出端子包括第一引出端子和第二引出端子；

所述介質(zhì)層上進一步設置有導電通孔，所述導電通孔將所述連接端子外露，所述第一引出端子設置在所述導電通孔中，并延伸到所述介質(zhì)層外，以將所述連接端子扇出。

8.根據(jù)權利要求7所述的埋入式芯片，其特征在于，所述導電通孔的孔徑大小為30微米-100微米。

9.根據(jù)權利要求7所述的埋入式芯片，其特征在于，所述埋入式芯片還包括：

阻焊層，設置在所述介質(zhì)層上，并在對應第一引出端子的位置形成阻焊開口，以外露所述第一引出端子；

所述第二引出端子設置在所述第一引出端子上，使得所述連接端子通過所述第一引出端子和所述第二引出端子扇出。

10.根據(jù)權利要求1所述的埋入式芯片，其特征在于，所述金屬基底的厚度范圍為30微米-500微米。