[實(shí)用新型]集成電阻區(qū)的VDMOS器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821357766.5
• 申請(qǐng)日: 2018-08-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208548354U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳錢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 32293
• 代理人: 韓鳳

1.一種集成電阻區(qū)的VDMOS器件，包括半導(dǎo)體基板以及位于所述半導(dǎo)體基板中心的元胞區(qū)，所述半導(dǎo)體基板包括第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)以及位于所述第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)上部的第二導(dǎo)電類型體區(qū)；

在所述VDMOS器件的截面上，元胞區(qū)包括若干元胞，所述元胞包括兩相鄰的元胞溝槽，元胞溝槽位于第二導(dǎo)電類型體區(qū)內(nèi)且元胞溝槽的槽底伸入所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)下方的第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)內(nèi)；在元胞溝槽的內(nèi)壁設(shè)置柵介質(zhì)層，在設(shè)置柵介質(zhì)層的元胞溝槽內(nèi)填充柵極導(dǎo)電多晶硅；其特征是：

在所述元胞溝槽之間設(shè)置第一導(dǎo)電類型歐姆接觸區(qū)，所述第一導(dǎo)電類型歐姆接觸區(qū)與元胞溝槽的外壁均接觸，所述第一導(dǎo)電類型歐姆接觸區(qū)與第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)上方的源極金屬層歐姆接觸，所述源極金屬層通過(guò)元胞溝槽槽口的絕緣介質(zhì)層與柵極導(dǎo)電多晶硅絕緣隔離；在所述柵介質(zhì)層內(nèi)注入有電荷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電阻區(qū)的VDMOS器件，其特征是：所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)內(nèi)設(shè)置第一導(dǎo)電類型源區(qū)以及第二導(dǎo)電類型源區(qū)，所述第一導(dǎo)電類型源區(qū)與元胞溝槽的外壁接觸，第一導(dǎo)電類型源區(qū)位于元胞溝槽與第二導(dǎo)電類型源區(qū)的兩側(cè)，源極金屬層與第一導(dǎo)電類型源區(qū)、第二導(dǎo)電類型源區(qū)歐姆接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電阻區(qū)的VDMOS器件，其特征是：在所述第一導(dǎo)電類型歐姆接觸區(qū)的正下方還設(shè)置第一導(dǎo)電類型體區(qū)，第一導(dǎo)電類型體區(qū)的摻雜濃度小于第一導(dǎo)電類型歐姆接觸區(qū)的摻雜濃度，第一導(dǎo)電類型體區(qū)與第一導(dǎo)電類型歐姆接觸區(qū)接觸，第一導(dǎo)電類型體區(qū)與元胞溝槽的外壁接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電阻區(qū)的VDMOS器件，其特征是：所述柵介質(zhì)層內(nèi)電荷的密度為1e11/cm²～1e13/cm²。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電阻區(qū)的VDMOS器件，其特征是：在所述第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)的背面設(shè)置第一導(dǎo)電類型襯底，所述第一導(dǎo)電類型襯底與第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)鄰接，在所述第一導(dǎo)電類型襯底上設(shè)置漏極金屬層，所述漏極金屬層與第一導(dǎo)電類型襯底歐姆接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電阻區(qū)的VDMOS器件，其特征是：在所述第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)內(nèi)設(shè)置超結(jié)結(jié)構(gòu)，所述超結(jié)結(jié)構(gòu)包括若干交替分布的第一導(dǎo)電類型柱以及第二導(dǎo)電類型柱，第二導(dǎo)電類型柱位于元胞溝槽的正下方，且第二導(dǎo)電類型柱與元胞溝槽的槽底接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電阻區(qū)的VDMOS器件，其特征是：所述半導(dǎo)體基板的材料包括硅。