[實用新型]扇出型天線封裝結構有效
| 申請號： | 201821346590.3 | 申請日： | 2018-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN208637416U | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發明（設計）人： | 陳彥亨;林正忠;吳政達 | 申請（專利權）人： | 中芯長電半導體（江陰）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/66 | 分類號： | H01L23/66;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/683;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 214437 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬連接柱 重新布線層 天線金屬 封裝層 電性連接 半導體芯片 本實用新型 天線封裝 扇出型 顯露 電性穩定性 多層天線 封裝結構 金屬凸塊 集成度 金屬層 覆蓋 整合 封裝 | ||
1.一種扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：
重新布線層，所述重新布線層包括相對的第一面及第二面；
第一金屬連接柱，位于所述重新布線層的第二面上，且與所述重新布線層電性連接；
半導體芯片，位于所述重新布線層的第二面上，且與所述重新布線層電性連接；
第一封裝層，覆蓋所述重新布線層、第一金屬連接柱及半導體芯片，且所述第一封裝層的頂面顯露所述第一金屬連接柱；
第一天線金屬層，位于所述第一封裝層的頂面上，且所述第一天線金屬層與所述第一金屬連接柱電性連接；
第二金屬連接柱，位于所述第一天線金屬層上；
第二封裝層，覆蓋所述第一天線金屬層及第二金屬連接柱，且所述第二封裝層的頂面顯露所述第二金屬連接柱；
第二天線金屬層，位于所述第二封裝層的頂面上，且所述第二天線金屬層與所述第二金屬連接柱電性連接；以及
金屬凸塊，位于所述重新布線層的第一面上。
2.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述半導體芯片還包括與所述半導體芯片的接觸焊墊相連接的金屬柱及金屬球中的一種或組合。
3.根據權利要求2所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述金屬柱的側面被所述重新布線層包覆，所述金屬柱通過所述金屬球與所述重新布線層電性連接。
4.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述第一金屬連接柱的高度大于所述半導體芯片的高度。
5.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述第一金屬連接柱與所述重新布線層之間還包括第一金屬連接塊，且所述第一金屬連接塊的橫截面積大于所述第一金屬連接柱；所述第二金屬連接柱與所述第一天線金屬層之間還包括第二金屬連接塊，且所述第二金屬連接塊的橫截面積大于所述第二金屬連接柱。
6.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述第二金屬連接柱的高度小于所述第一金屬連接柱的高度。
7.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述第一封裝層包括環氧樹脂層、聚酰亞胺層及硅膠層中的一種；所述第二封裝層包括環氧樹脂層、聚酰亞胺層及硅膠層中的一種。
8.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述重新布線層包括依次層疊的圖形化的介質層及圖形化的金屬布線層。
9.根據權利要求8所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述介質層包括環氧樹脂層、硅膠層、PI層、PBO層、BCB層、氧化硅層、磷硅玻璃層，含氟玻璃層中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線層包括銅層、鋁層、鎳層、金層、銀層、鈦層中的一種或兩種以上組合。
10.根據權利要求9所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述金屬凸塊包括銅金屬凸塊、鎳金屬凸塊、錫金屬凸塊及銀金屬凸塊中的一種。
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