[實用新型]扇出型天線封裝結構

有效

• 申請號: 201821346590.3
• 申請日: 2018-08-20
• 公開（公告）號: CN208637416U
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠;吳政達
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/683;H01Q1/22
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種扇出型天線封裝結構，所述封裝結構包括：重新布線層；位于重新布線層上的第一金屬連接柱；位于重新布線層上且與重新布線層電性連接的半導體芯片；覆蓋重新布線層、第一金屬連接柱及半導體芯片且顯露第一金屬連接柱的第一封裝層；位于第一封裝層的頂面上且與第一金屬連接柱電性連接的第一天線金屬層；位于第一天線金屬層上的第二金屬連接柱；覆蓋第一天線金屬層及第二金屬連接柱且顯露第二金屬連接柱的第二封裝層；位于第二封裝層的頂面上且與第二金屬連接柱電性連接的第二天線金屬層；以及位于重新布線層上的金屬凸塊。本實用新型實現多層天線金屬層的整合，有效縮小封裝體積，具有較高的集成度以及電性穩定性。

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種扇出型天線封裝結構。

背景技術

更低成本、更可靠、更快及更高密度的電路是集成電路封裝追求的目標。在未來，集成電路封裝將通過不斷減小最小特征尺寸來提高各種電子元器件的集成密度。目前，常用的封裝方法包括：晶圓級芯片規模封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)，扇出型晶圓級封裝(Fan-Out Wafer Level Package，FOWLP)，倒裝芯片(Flip Chip)，疊層封裝(Package on Package，POP)等等。其中，扇出型晶圓級封裝由于其輸入/輸出端口(I/O)較多、集成靈活性較好，已成為目前較為先進的封裝方法之一。

隨著高科技電子產品的普及以及人們需求的增加，特別是為了配合人們移動的需求，目前，大多高科技電子產品都增加了無線通訊的功能。

一般來說，現有的天線結構通常是將天線直接制作于電路板的表面，這種作法會讓天線占據額外的電路板面積，整合性較差。對于各種高科技電子產品而言，使用較大的電路板即表示高科技電子產品占據較大的體積，這與人們對高科技電子產品的小型化、便捷式的需求相違背，因此，如何減少天線所占電路板的面積，減小天線封裝結構的體積以提高天線封裝結構的整合性能，將是這些電子裝置所需克服的問題。

鑒于此，有必要設計一種新的扇出型天線封裝結構用于解決天線占據電路板的面積所引起的上述技術問題。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種扇出型天線封裝結構，用于解決現有技術中天線占據電路板的面積，所引起的天線封裝結構體積大、整合性差的問題。

鑒于此，本實用新型提供一種扇出型天線封裝結構，包括：

重新布線層，所述重新布線層包括相對的第一面及第二面；

第一金屬連接柱，位于所述重新布線層的第二面上，且與所述重新布線層電性連接；

半導體芯片，位于所述重新布線層的第二面上，且與所述重新布線層電性連接；

第一封裝層，覆蓋所述重新布線層、第一金屬連接柱及半導體芯片，且所述第一封裝層的頂面顯露所述第一金屬連接柱；

第一天線金屬層，位于所述第一封裝層的頂面上，且所述第一天線金屬層與所述第一金屬連接柱電性連接；

第二金屬連接柱，位于所述第一天線金屬層上；

第二封裝層，覆蓋所述第一天線金屬層及第二金屬連接柱，且所述第二封裝層的頂面顯露所述第二金屬連接柱；

第二天線金屬層，位于所述第二封裝層的頂面上，且所述第二天線金屬層與所述第二金屬連接柱電性連接；以及

金屬凸塊，位于所述重新布線層的第一面上。

可選的，所述半導體芯片還包括與所述半導體芯片的接觸焊墊相連接的金屬柱及金屬球中的一種或組合。

可選的，所述金屬柱的側面被所述重新布線層包覆，所述金屬柱通過所述金屬球與所述重新布線層電性連接。