[實用新型]一種批量化半導體濕法氧化裝置

有效

• 申請號: 201821344375.X
• 申請日: 2018-08-20
• 公開（公告）號: CN208538810U
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 楊曉杰;宋院鑫;楊國文;趙衛東
• 申請（專利權）人: 度亙激光技術（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 馮瑞;耿丹丹

1.一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，它包括減震臺、設置在減震臺上的轉盤、用于驅動轉盤轉動的驅動電機、設置在所述的轉盤上的多個反應腔室、設置在減震臺上的安裝架、設于安裝架上的腔室加熱裝置、設于安裝架上的CCD成像裝置，所述的腔室加熱裝置能夠沿所述的安裝架上下移動，所述的轉盤用于在所述的驅動電機的驅動下將多個反應腔室分別移動至腔室加熱裝置加熱的位置。

2.如權利要求1所述的一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，所述的反應腔室包括反應腔室外殼、上蓋、設置在所述的反應腔室外殼內的多層石英支架，所述的多層石英支架包括多個沿上下方向排列設置的環狀置物層，所述的置物層具有向內突出的多個支點，多個支點沿置物層周向均勻排布。

3.如權利要求2所述的一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，所述的反應腔室還包括進氣管、出氣管、與進氣管相連通的多個進氣支管，多個進氣支管的出氣口分別對應一個置物層。

4.如權利要求3所述的一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，所述的進氣管、出氣管及進氣支管為石英材料制成。

5.如權利要求3所述的一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，所述的減震臺的底部安裝有氣柜、水浴加熱裝置及氣閥，

所述的水浴加熱裝置與多個反應腔室的出氣管分別通過氣體輸送管道可插拔的連接，

所述氣閥具有第一連通狀態和第二連通狀態，

當氣閥處于第一連通狀態時，氣柜與反應腔室相連通，水浴加熱裝置與反應腔室之間的氣流通道關閉；

當氣閥處于第二連通狀態時，水浴加熱裝置與反應腔室相連通，氣柜與反應腔室之間的氣流通道關閉。

6.如權利要求1所述的一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，所述的腔室加熱裝置包括圓筒狀的殼體、安裝在圓筒狀殼體的內壁上的多個發熱管，所述的腔室加熱裝置用于套在反應腔室外并對反應腔室加熱。

7.如權利要求6所述的一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，所述的發熱管為立式石英紅外發熱管，多個發熱管沿圓筒狀殼體的周向均勻分布。

8.如權利要求6所述的一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，所述的安裝架上設置有沿上下方向延伸設置的滑軌，所述的殼體上設置有能夠沿滑軌上下滑動的多個導向輪。

9.如權利要求8所述的一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，所述的安裝架上還設置第一滑輪、第二滑輪及繞卷機，所述的圓筒狀殼體的外壁上設置有第三滑輪，所述的繞卷機用于繞卷牽引繩的一端部，所述的牽引繩依次繞過第一滑輪和第二滑輪，所述的牽引繩的另一端部固定在第三滑輪上，當繞卷機繞卷和釋放牽引繩時，牽引繩拉動腔室加熱裝置沿滑軌上下滑動。

10.如權利要求9所述的一種批量化半導體濕法氧化裝置，其特征在于，所述的安裝架上還設置有一L型支架，所述的L型支架包括分別沿X軸和Y軸方向延伸的兩個滑桿，CCD成像裝置安裝在所述的L型支架上，并能夠沿兩個滑桿滑動。