[實用新型]一種硅片表面減反射層沉積改進結構有效
| 申請號: | 201821332950.4 | 申請日: | 2018-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN208489205U | 公開(公告)日: | 2019-02-12 |
| 發明(設計)人: | 張育 | 申請(專利權)人: | 嘉興金瑞光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 嘉興啟帆專利代理事務所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 李伊飏 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絨面結構層 減反射層 發射層 本實用新型 不規則圓形 改進結構 硅片本體 硅片表面 襯底 沉積 反射 背面 表面設置 工作效率 減反射膜 電池板 反射光 光程差 金屬柵 下表面 透射 底端 附著 干涉 | ||
本實用新型公開了一種硅片表面減反射層沉積改進結構,包括硅片本體,硅片本體的底端設置有背面襯底,背面襯底的端部設置有P型硅晶,P型硅晶的端部設置有N型硅晶,N型硅晶的端部設置有絨面結構層,絨面結構層的表面設置有減發射層,減發射層之間排列有金屬柵,減發射層的形狀為不規則圓形,且均勻的附著于絨面結構層的表面。本實用新型通過在P型硅晶和N型硅晶的端部設置有不規則圓形的減反射層的絨面結構層,利用減反射膜上、下表面反射所產生的光程差,使得兩束反射光干涉相消,從而減弱反射增加透射,進一步提升了電池板的工作效率。
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能電池硅片,特別涉及一種硅片表面減反射層沉積改進結構。
背景技術
為了降低太陽電池的成本,硅片的厚度不斷降低,從最初的350μm到270、240、220、180μm,將來甚至會向更薄方向發展,硅片厚度減薄,少數載流子的擴散長度可能接近或大于硅片的厚度,部分少數載流子將擴散到電池背面而產生復合,這將對電池效率造成很大的影響,同時,當硅片厚度降低到200μm以下時,長波光(波長900~1100nm)吸收減少,不僅電池效率降低,還會增加背面電極接觸點的溫度,影電池響壽命,所以需要電池有良好的背反射性能。對于產業化電池,其厚度為180~200μm,一部分可被利用的長波光因透射而未被吸收,因此導致電池板的工作效率低。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷,提供一種硅片表面減反射層沉積改進結構,本實用新型通過在P型硅晶和N型硅晶的端部設置有不規則圓形的減反射層的絨面結構層,利用減反射膜上、下表面反射所產生的光程差,使得兩束反射光干涉相消,從而減弱反射增加透射,提升電池板的工作效率。
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了如下的技術方案:
本實用新型一種硅片表面減反射層沉積改進結構,包括硅片本體,所述硅片本體的底端設置有背面襯底,所述背面襯底的端部設置有P型硅晶,所述P型硅晶的端部設置有N型硅晶,所述N型硅晶的端部設置有絨面結構層,所述絨面結構層的表面設置有減發射層,所述減發射層之間排列有金屬柵,所述減發射層的形狀為不規則圓形,且均勻的附著于絨面結構層的表面。
作為本實用新型的一種優選技術方案,所述背面襯底包含有玻璃、晶體硅或低純度的多晶硅。
作為本實用新型的一種優選技術方案,所述絨面結構層表面均勻涂抹有光膜。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果如下:
本實用新型通過在P型硅晶和N型硅晶的端部設置有不規則圓形的減反射層的絨面結構層,利用減反射膜上、下表面反射所產生的光程差,使得兩束反射光干涉相消,從而減弱反射增加透射,進一步提升了電池板的工作效率。
附圖說明
附圖用來提供對本實用新型的進一步理解,并且構成說明書的一部分,與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型,并不構成對本實用新型的限制。在附圖中:
圖1是本實用新型的整體結構示意圖;
圖2是本實用新型的減反射層工作原理圖;
圖3是本實用新型的絨面結構層原理圖;
圖中:1、硅片本體;2、背面襯底;3、P型硅晶;4、N型硅晶;5、絨面結構層;6、減發射層;7、金屬柵。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的優選實施例進行說明,應當理解,此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。其中附圖中相同的標號全部指的是相同的部件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于嘉興金瑞光伏科技有限公司,未經嘉興金瑞光伏科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821332950.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種特快速軟恢復二極管
- 下一篇:一種低翹曲減反射太陽能電池片
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





